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△ MQW势垒足够厚,相邻势阱中的波函数;△分类;Ⅰ型:电子和空穴在同一种材料中量子化； ;可制作Ⅱ型SL.;;调制掺杂MQW与超晶格SL;期性的调制情况.;比较：;Nipi 结构产生空间间接跃迁,能隙远小于本征半导体的能隙. 极值点附近的势能为抛物带（谐振子）,因此不论是电子还是空穴的能级都是等间隔的.;※量子阱和超晶格的生长;门的喷射室射出.同时或交替打开快门,例如Ga室和As室射出的Ga和As,就可能在适当加热的单晶体衬底上生长GaAs层;而Al室和As室射出的Al和As在衬底上生长AlAs层.另外掺杂原子也可加入喷射室,例如Si和Be可以用作III-V族化合物的n型掺杂和p型掺杂,II-VI族化合物外延生长中,如CdS,有时也掺入化合物.;▲一些受到限制的MBE过程被称为原子外延（ALE)或迁移增强外延（MEE）, 该方法可以将生成层控制到单层程度.;;; ;打开反应器时，操作须谨慎！;●化学键类型相同. 要么都是共价键，要么都是离子键.;; ;GaAs可以与混晶;●近年来,III-V族系统成功用于制作蓝光和紫外光发射器和激光二极管，因而得到广泛应用,例如GaN及其与InN和AlN混晶.由于与GaAs存在巨大的晶格失配,该系统一般生长在SiC,ZnO或
;I型系统由于可以制作蓝绿至黄光领域激;; ;加, 直到某个临界厚度; ;;二维压缩;;;
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