半导体物理学-半导体中杂质和缺陷能级.pptVIP

2021/3/8 2021/3/8 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 晶体内杂质原子束缚的电子与类氢模型相比： m0?mn*, mp*; ?0 ? ?r?0 施主杂质的电离能： Si: Ge: 受主杂质的电离能 2021/3/8 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 氢原子半径： 施主杂质半径： 基态下（n=1），氢原子的轨道半径： 2021/3/8 2021/3/8 2021/3/8 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2.1.5 杂质的补偿作用 当半导体中同时存在施主和受主杂质时，半导体是n型还是p型呢？ 在半导体中，若同时存在着施主和受主杂质，施受主杂质之间有互相抵消的作用，通常称为杂质的补偿作用。一共有如下三种情况： NDNA NAND NA~ND ~ 2021/3/8 1、当 NDNA 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 因为受主能级低于施主能级，所以施主杂质的电子首先跃迁到NA个受主能级上，还有ND-NA个电子在施主能级上，杂质全部电离时，跃迁到导带中的导电电子的浓度为n= ND-NA。即则有效施主浓度为NDeff≈ ND-NA EC EV ED EA 2021/3/8 2.1 硅、锗晶体中的杂质能级 2、 当NAND 施主能级上的全部电子跃迁到受主能级上，受主能级上还有NA-ND个空穴，它们可接受价带上的NA-N