探测器的基本原理.pptVIP

2、漂移 在外电场作用下，电子向正极方向运动，空穴向负极方向运动，这种运动称为漂移。 在电场中，漂移产生得电子（空穴）电流密度矢量为： 你现在学习的是第62页，课件共112页 当扩散和漂移同时存在得时候总得电子电流密度矢量和空穴电流密度矢量分别为： 总电流密度为两者之和。 你现在学习的是第63页，课件共112页 3.2 半导体的光电效应 光电效应的分类： 1、内光电效应： 材料在吸收光子能量后，出现光生电子空穴，由此引起电导率变化和电流电压现象，称之为内光电效应。 内光电效应制成的器件有两大类：光电导和光生伏特效应的两大器件。含有光敏电阻，SPRITE探测器、光电池、光电二极管、三极管和场效应管等。 你现在学习的是第64页，课件共112页 2、外光电效应： 当光照射某种物质时，若入射的光子能量足够大，它和物质中的电子互相作用，致使电子逸出表面，这种现象称为外光电效应。外光电效应制成的器件有：光电管，光电倍增管等。 你现在学习的是第65页，课件共112页 一、光电导效应 当半导体材料受照时，由于对光子得吸收引起载流子浓度得增大，因而导致材料电导率增大，这种现象称为光电导效应。材料对光得吸收有本征型和非本征型两种。 你现在学习的是第66页，课件共112页 本征型：光子能量大于材料禁带宽度时，把价带中得电子激发到导带，在价带中留下自由空穴，从而引起材料电导率得增加，即本征型光电效应。 非本征型：若光子激发杂质半导体，使电子从施主能级跃迁到导带或从价带跃迁到受主能级，产生光生自由电子或空穴，从而增加材料得电导率，即非本征光电导效应。 你现在学习的是第67页，课件共112页 1、光电流 材料样品两端涂有电极，加载一定得弱电场，在样品的垂直方向加上均匀的光照，入射功率为常数时，所得到的光电流为稳态光电流。 你现在学习的是第68页，课件共112页 无光照时，常温下的样品具有一定的热激发载流子浓度，因而样品具有一定的暗电导率。 样品在有光照的条件下，吸收光子产生光生载流子浓度用Δn和Δp表示。光照稳定的条件下的电导率为： 附加的电导率称之为光电导率，能够产生光电导效应的材料称为光电导材料。 你现在学习的是第69页，课件共112页 令： 则： b为迁移比。 光电导灵敏度定义为单位入射光辐射功率所产生的光电导率。 光电导灵敏度表达式 你现在学习的是第70页，课件共112页 可见，要制成光电导率高的器件，应该使n0和P0有较小数值，因此光电导器件一般是由高阻材料(n0, P0较小)或者在低温下使用(n0 ，p0较少) 你现在学习的是第71页，课件共112页 下面我们看一下光电流密度的求解： 首先： g为载流子产生率， 为寿命。 若入射光功率为Φs，载流子产生率与光功率的关系： 你现在学习的是第72页，课件共112页 你现在学习的是第73页，课件共112页 2、响应时间 （1）光电导驰豫过程 光电导材料从光照开始获得稳定的光电流学要一定的时间，当光照停止后光电流逐渐消失，这种现象称为光电导驰豫现象。 （2）上升响应时间 光生载流子浓度上升到稳态值的63％所需的时间为光电探测器上升响应时间。此时光生载流子浓度： 你现在学习的是第74页，课件共112页 （3）下降时间 光照停止以后光生载流子下降到稳定值的37％时所需要的时间为下降时间。此时光生载流子浓度的变化为： 你现在学习的是第75页，课件共112页 光电导材料在弱光照时，表现为线性光电导，即光电导与入射光功率成正比。 而在强光照时表现为抛物线光电导，即光电导与入射光功率的平方根成正比，定义其上升＆下降时间，相当于上升到稳态值的76％，下降到稳态值的50％。 你现在学习的是第76页，课件共112页 影响光谱响应有两个主要因素：光电导材料对各波长辐射的吸收系数和表面复合率。 响应有一峰值，而无论向长波或短波方向，响应都会降低。定性分析其原因： 在材料不同深度x处获得的光功率为P=P0(1- )。在较长波长上，材料吸收少，吸收系数很小，产生的电子浓度较少，复合率小，一部分辐射会穿过材料，因此灵敏度低。 你现在学习的是第77页，课件共112页 随着波长减小，吸收系数增大，入射光功率几乎全被材料吸收，量子效率增加，因此光电导率达到峰值。一般峰值靠近长波限，实际定义长波限为峰值一半处所对应的波长。 当波长进一步减小时，吸收系数进一步增加，光子能量增大，激发的光生载流子大部分靠近材料表面附近，表面处的载流子复合率增加，光生载流子寿命减低，量子效率也随之下降。灵敏度减小。 你现在学习的是第78页，课件共112页 二、p-n