场效应器件物理 绪论.pptVIP

西安电子科技大学 XIDIAN UNIVERSITY 绪论;*;*;*;*;*;Moore’s Law：Intel公司创始人之一，Gorden E. Moore博士在研究存贮器芯片上晶体管增长数的时间关系预测 半导体芯片上集成的晶体管和电阻数量将每年翻一番 1975年又提出修正说，芯片上集成的晶体管数量将每两年翻一番;实际发展规律： 芯片上集成的晶体管数量，每隔18个月翻一番 器件尺寸减小，晶圆尺寸增加。 “动态随机存储器DRAM”和“微处理器CPU”两大IC的发展，遵循了摩尔定律。;特征尺寸越来越小 单位面积晶体管数目越来越多 时钟频率越来越快 布线层数越来越多 圆片面积越来越大 引脚数目（I/O引线）越来越多 电源电压越来越低 ;*;*;硅基IC发展的可能极限 ;关于距离量级的感性认识;*;*;场效应器件概况 场效应;场效应器件发展 JFET;场效应器件发展 MOSFET ;场效应器件发展 MESFET;场效应器件发展 CMOS;场效应器件发展 HEMT;场效应器件发展 DMOS（LDMOS+VDMOS）;场效应器件发展 新器件1;场效应器件发展 新器件2;场效应器件发展 新器件3;场效应器件发展