(材料科学基础)位错反应和扩展位错.pptVIP

第 三 章 晶 体 缺 陷 （六） ——实际晶体结构中的位错;面心立方晶体中的典型位错; ;4. 位错反应;①一个位错分解成两个或多个具有柏氏矢量的位错，面心立方晶体中一个全位错分解成两个肖克莱不全位错。;上例中：;例：fcc中，柏氏矢量为 的位错能否分解成单位位错？; ;1) 汤普森四面体 ;c）汤普森四面体的展开 ;用于表示fcc晶体中的位错反应;A;B;B ;B ;所有希－希向量也都可以根据向量合成规则求得：;2) 扩展位错 ;面心立方中扩展位错的进一步解释： ;2) 扩展位错 ; 但如???滑移分两步完成，即先从 B1位置沿A原子间的“低谷”滑移到邻近的C位置，即 ；然后再由C滑移到另一个 B2位置，即 ，这种滑移比较容易。 ; 每一步滑移造成了层错，因此，层错区与正常区之间必然会形成两个不全位错。故 和 为肖克莱不全位错。也就是说，一个全位错 分解为两个肖克莱不全位错 和 ，全位错的运动由两个不全位错的运动来完成，即 ;2) 扩展位错 ;B;（1）扩展位错的宽度;当 f 与层错能γ相等时，处于平衡 ∴ 扩展位错的宽度:; 纯螺位错在