第6章半导体二极管和三极管.pptxVIP

第6章半导体二极管和三极管会计学第1页/共56页目 录第6章 半导体二极管和三极管1.1 电路和电路模型 目 录6.1半导体基本知识6.2半导体二极管6.3稳压二极管6.4发光二极管6.5半导体三极管1.2 电路基本物理量1.3 电阻元件、电感元件和电容元件1.4 电压源、电流源及其等效变换1.5 基尔霍夫定律1.6 复杂电路的分析和计算6.1半导体基本知识第2页/共56页半导体：导电能力介乎于导体和绝缘体之 间的 物质。半导体特性：热敏特性、光敏特性、掺杂特性第3页/共56页6.1.1 本征半导体 本征半导体就是完全纯净的半导体。应用最多的本征半导体为锗和硅，它们各有四个价电子，都是四价元素.第4页/共56页6.1.1 本征半导体 1.本征半导体晶体结构中的共价健结构 纯净的半导体其所有的原子基本上整齐排列，形成晶体结构，所以半导体也称为晶体 ——晶体管名称的由来第5页/共56页 2.自由电子与空穴 共价键中的电子在获得一定能量后，即可挣脱原子核的束缚，成为自由电子,同时在共价键中留下一个空穴。空穴SiSiSiSi自由电子3.热激发与复合现象第6页/共56页 由于受热或光照产生自由电子和空穴的现象----- 热激发 自由电子在运动中遇到空穴后，两者同时消失，称为复合现象 温度一定时，本征半导体中的自由电子—空穴对的数目基本不变。温度愈高，自由电子—空穴对数目越多。空穴SiSiSiSi价电子第7页/共56页4.半导体导电方式 当半导体两端加上外电压时，自由电子作定向运动形成电子电流；而空穴的运动相当于正电荷的运动第8页/共56页4.半导体导电方式 在半导体中，同时存在着电子导电和空穴导电，这是半导体导电方式的最大特点，也是半导体和金属在导电原理上的本质差别。载流子自由电子和空穴 因为，温度愈高，载流子数目愈多，导电性能也就愈好，所以，温度对半导体器件性能的影响很大。第9页/共56页6.1.2 N型半导体和P型半导体1.N型半导体在硅或锗的晶体中掺入微量的磷（或其它五价元素）。 自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。 电子型半导体或N型半导体第10页/共56页6.1.2 N型半导体和P型半导体2.P型半导体 在硅或锗晶体中掺入硼（或其它三价元素）。 空穴是多数载流子，自由电子是少数载流子。 空穴型半导体或P型半导体。第11页/共56页6.1.2 N型半导体和P型半导体 不论N型半导体还是P型半导体，虽然它们都有一种载流子占多数，但是整个晶体仍然是不带电的。PN自由电子空穴第12页/共56页 6.1.3 PN结1. PN结的形成 空间电荷区PN内电场方向空穴自由电子第13页/共56页1. PN结的形成PN结是由扩散运动形成的第14页/共56页1. PN结的形成扩散运动和漂移运动的动态平衡内电场增强扩散强漂移运动增强PN结宽度基本稳定两者平衡扩散强PN结导通外加电压平衡破坏漂移强PN结截止变窄PNI内电场 方向R外电场方向–+第15页/共56页2. PN结的单向导电性(1) 外加正向电压使PN结导通PN结呈现低阻导通状态，通过PN结的电流基本是多子的扩散电流——正向电流 变 宽PNI=0内电场 方向R外电场方向 -+第16页/共56页2. PN结的单向导电性(2) 外加反向电压使PN结截止 PN结呈现高阻状态，通过PN结的电流是少子的漂移电流 ----反向电流特点: 受温度影响大原因: 反向电流是靠热激发产生的少子形成的第17页/共56页2. PN结的单向导电性结 论 PN结具有单向导电性 （1） PN结加正向电压时，处在导通状态，结电阻很低，正向电流较大。 （2）PN结加反向电压时，处在截止状态，结电阻很高，反向电流很小。 返回N型锗片外壳触丝引线阳极引线铝合金小球PN结点接触型金锑合金N型硅面接触型表示符号底座阴极引线第18页/共56页6.2 半导体二极管6..2.1 基本结构I/μA60正向40死区电压20-50 -25O 0.4 0.8 U/V击穿电压-20-40反向第19页/共56页6.2.2 二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是非线性的。I/μA60正向40死区电压20-50 -25O 0.4 0.8 U/V击穿电压-20-40反向第20页/共56页6.2.2 二极管的伏安特性1 .正向特性 死区电压： 硅管：0.5伏左右，锗管： 0.1伏左右。 正向压降： 硅管：0.7伏左右，锗管： 0.2~ 0.3伏。I/μA60正向40死区电压20-50 -25O 0.4 0.8 U/V击穿电压-20-40反向第21页/共56页6.2.2 二极管的伏安