电子电路基础第一章.pptx

电子电路根底信息与通信工程学院唐 恬学习材料课程打算联系方法：答疑：待定进度安排：12周完成教学，期中考试覆盖前3章周三每周都上，双周周五1/2节上，单周周五10/11节上〔18:30开始〕，第一次课是双周，后续依次类推作业安排：自备作业本/纸，适时安排，下周三交回成绩计算：作业：期中：期末 = 2:2:6参考资料：《电子电路根底及 通信电子电路学习指导书》刘宝玲等讲义下载：学习材料课程概述课程在通信、信息学科中的位置电子信息类专业〔电子、通信、信息等〕的学科根底课程〔技术根底课、专业根底课〕。 通过对半导体器件及其根底放大电路、反响放大电路、频率特性、集成电路等功能和性能的分析，系统地掌握电子电路的根本原理、根本概念、各种功能电路的工作原理和分析设计方法，获得分析问题、解决问题、工程计算、科学思维、实验研究和科学归纳的能力，建立理论联系实际的工程观念，为今后电子系统的工程完成和后续课程学习打下必备的根底。学习材料课程概述难时间紧、任务重：3个月，400页教材，还要强烈推举看参考资料前300页临时抱佛脚的话：看不懂书，强行记忆后不会做题，做了也是蒙的，往往都蒙错了…课程特点工程性强：不会有大量的公式推导，但也不会每局部知识点都给出结论性的公式，需要依据实际情况、要求进行合理的公式选择和变量忽略知识点多：死记硬背无法应对实际工程性问题〔包含考试〕，只能真正掌握概念、原理及必要的公式才能对问题进行分析研究内容以器件为根底：二极管、三极管、场效应管以信号为主线：电压、电流、电阻、频率对电路进行分析：放大电路、反响电路、运算放大器、波形发生器学习材料本章概述半导体根底知识及二极管电路学习材料第一章 半导体根底知识及二极管电路1.1 半导体的根本特性什么样的物质可以称为半导体？——通常以电阻率ρ大小来界定导体： ρ小于10-3?·cm绝缘体： ρ大于109?·cm半导体： ρ介于10-3?·cm与109?·cm之间？元素半导体：锗、硅化合物半导体：砷化镓电阻率适宜是成为半导体的唯一条件？制作半导体器件的物理根底掺杂特性：半导体中掺入特定微量元素可以使电导率大大下降，通过掺杂可以改变和操作半导体的导电特性热敏特性：通过温度可以改变半导体的导电特性光敏特性：通过光照可以改变半导体的导电特性，甚至产生电动势物质导电性能取决于原子内部结构和原子之间的结合方法，常温下金属导体中存在大量的自由电子，而绝缘体内部几乎不存在自由电子，半导体呢？学习材料第一章 半导体根底知识及二极管电路1.1 半导体的根本特性1.1.1 本征半导体纯洁半导体提炼为单晶体后，称为本征半导体，其原子在空间排列为具有周期性和对称性的点阵。惯性核简化模型共价键结构基于共价键结构，本征半导体如何导电？硅和锗原子结构模型 (a) 硅 (b)锗 (c)惯性核简化模型 学习材料第一章 半导体根底知识及二极管电路1.1 半导体的根本特性1.1.1 本征半导体本征激发及其产生的两种载流子T=0K时，价电子无法挣脱共价键束缚温度〔热能〕产生电子、空穴对——本征激发/热激发电子、空穴可能重新结合〔复合〕，半导体中激发和复合不断进行但电子和空穴数目却保持不变——动态平衡：ni=pi学习材料第一章 半导体根底知识及二极管电路1.1 半导体的根本特性1.1.1 本征半导体本征载流子浓度与温度的关系同样温度时，锗、硅的浓度区别温度上升，浓度增高，则电阻率的温度系数？金属导体的温度系数是？指出两点：半导体中载流子数量强烈依赖于环境温度，这是半导体器件工作时热不稳定性的根本原因本征激发产生的电子-空穴对浓度很低，所以本征半导体导电性能很差本征载流子浓度与温度的关系曲线 学习材料第一章 半导体根底知识及二极管电路1.1 半导体的根本特性1.1.2 掺杂产生的两种半导体N型半导体掺入五价元素〔磷，施主杂质〕，施放电子〔电离〕，电子成为多子，空穴成为少子，以电子导电为主同时掺杂施主、受主杂质的情况？P型半导体掺入三价元素〔硼，受主杂质〕，形成空穴〔电离〕，空穴成为多子，电子成为少子，以空穴导电为主学习材料第一章 半导体根底知识及二极管电路1.1 半导体的根本特性1.1.2 掺杂产生的两种半导体载流子浓度半导体处于平衡状态〔不受外加电场和高能辐射〕时： p0n0=ni2常温下，杂质都能电离，则温度提高会对掺杂半导体产生什么影响？在此情况下，硅和锗谁更稳定？例题：一块用锗材料(T=300K时，ni=2.5×1013cm-3)制成的N型半导体，掺入施主杂质的浓度 ND=1×1017cm-3。试求该N型半导体中自由电子浓度n0和空穴浓度p0解答：问题的关键在于抓住以下要点：N型半导体中的自由电子分两类：主要来自于掺杂〔完全电离〕，极少还来自于本征激发则：自由电子浓度 空穴浓度学习材料第一章 半导体根底知识及二极管电路1