磁阻效应物理实验报告.pdfVIP

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
磁阻效应 磁阻器件由于其灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、 仪器仪表、医疗器械、探矿等领域应用十分广泛,如:数字式罗 盘、交通车辆检测、导航系统等。磁阻器件品种较多,可分为正 常磁电阻,各向异性磁电阻,特大磁电阻,巨磁电阻和隧道电阻 等。其中正常磁电阻的应用十分普遍。锑化铟(InSb)传感器是 一种价格低廉、灵敏度高的正常磁电阻,有着十分重要的应用价 值。它可用于制造在磁场微小变化时测量多种物理量的传感器。 本实验使用两种材料的传感器,砷化镓(GaAs)测量磁感应强 度和研究锑化铟(InSb)在磁感应强度变化时的电

文档评论(0)

180****7385 + 关注
官方认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

版权声明书
用户编号:8040052114000031
认证主体苏州市山高水长互联网科技有限公司
IP属地江苏
统一社会信用代码/组织机构代码
91320582MA7GX8A69F

1亿VIP精品文档

相关文档