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沟道电流密度 孙琪程 2021.08.10 长沟道（1μm）线性区 长沟道（1μm）饱和区 drive current / on-state current / on-current I ON的计算 I ON的计算 假设： 1o 源区和漏区的电压降可以忽略不计； 2o 在沟道区不存在产生-复合电流； 3o 沟道电流为漂移电流； 4o 沟道内载流子的迁移率为常数 n (E) = C ； 5o 沟道与衬底间（pn结）的反向饱和电流为零； 6o 缓变沟道近似 反型层电荷、氧化层电荷、耗尽层电荷 用高斯定理将电荷与电场强度联系 I ON的计算 短沟道（1μm）饱和区 蒋玉龙，半导体器件原理讲义 Amritanand Sebastian et al., Benchmarking monolayer MoS2 and WS2 field-effect transistors Donald A. Neamen, Semiconductor physics and devices basic principles Fourth Edition 载流子速度饱和效应 效应带来的积分问题 I ON的计算 现有工作中I ON的简单总结 Thank you for your attention!