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OLED像素驱动电路设计 参考模板 oled像素驱动电路设计参考模板 OLED像素驱动程序设计LPAR；参考模板rPar； oled像素驱动电路的设计及其性能测试实验日期验者：张著东 1.实验目的 （1）通过实验复习晶体管性能的测试；（2）强化具体电路设计的能力； （3） 熟悉OLED像素驱动电路的结构和特点；（4） 提高综合分析问题的能力。 2、实验内容 （1） 双管TFT像素驱动电路的设计与制作 按图1所提供的电路原理，设计出可以测试该驱动电路的实验装置。说明其设计的理由和测试的方法。 （2） 双管TFT像素驱动电路的性能测试 测量通过oled的电流比较其性能，分析图1-（a）与图1-（b）的特性有何不同？ （a） 输入特定脉宽的扫描信号和数据信号，分别通过两种连接方式测量二极管电量 流；（b）保持数据信号脉宽不变，改变扫描脉冲宽度，分别测量通过两种接法的二 （c） 保持扫描信号的脉冲宽度不变，改变数据脉冲宽度，分别通过两种方法进行测量 的二极管电流。 3.实验步骤 3.1准备好仪器：两个数字信号发生器，一个万用表和一个稳压电压源。3.2连接仪器与电路板的测量点3.3开始调试并测试4、数据分析 4.1输入特定脉宽的扫描信号和数据信号，分别测量两种方法连接的二极管的电流。4.1.1设置fscan=fdata=1Hz，VCC=vscan=5V，更改Vdata，并测试ileda和iledb。 数据分析：由于在制作电路的时候，将mos管的ds极接反了。所以不符合了mos管的工作从截止区、放大区到饱和区的过程。因此，得出结论是，当mos管ds接反时，漏源电流id的变化时呈现从饱和区、放大区和截止区的过程。4.1.2可设定 Fscan=fdata=1Hz，VCC=5V，Vdata=9V，更换vscan并测试ileda 和iledb。 数据分析：扫描信号改变时，源电平电路图1中LED灯电流变化范围小，恒流图2中LED灯电流变化范围大。 4.2保持数据信号脉宽不变，改变扫描脉宽，分别测量通过两种接法的二极管的电流。4.2.1可fdata=1hz,fileda和iledb。 =1~1000khz，VCC=vscan=5V，Vdata=9V，更换fscan，测试 数据分析：当改变扫描信号的频率时，led灯的电流变化不大，但图1和图2有所差异。图1的接法电流会小于图2的接法。 4.3保持扫描信号的脉冲宽度不变，改变数据脉冲宽度，分别测量两种方法连接的二极管的电流。4.3.1可选 fscan=1hz,f =1~1000khz，VCC=vscan=5V，Vdata=9V，更换fscan，测试 ileda和ledb。 数据分析：随着数据信号频率的增加，两个电路的漏源极电流都呈下降趋势，最后变为0。 5、实验总结 在本实验中，MOS晶体管的漏源极级被反转。所以这违反了理论。 这次实验的经验教训就是在设计电路制作电路板的时候要十分谨慎以免在后面测试有问题。