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物质结构与性质真题专练 1. （2016 课标 3 卷）砷化镓（GaAs ）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳 能电池的材料等。回 答下列问题： （1）写出基态As 原子的核外电子排布式________________________。 （2）根据元素周期律，原子半径 Ga_____________As ，第一电离能 Ga____________As 。（填 ―大于 ‖或 ―小于 ‖） （3）AsCl 分子的立体构型为____________________，其中 As 的 3 杂化轨道类型为_________。 （4）GaF 的熔点高于 1000℃，GaCl 的熔点为 77.9℃，其原因是 3 3 _____________________。 -3 （5）GaAs 的熔点为 1238℃，密度为 ρg·cm ，其学科 网晶胞结构 如图所示。该晶体的类型为________________,Ga与 As 以________ -1 -1 键键合