集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺.pptxVIP

集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺;①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求光刻具有高分辨率。 ②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光刻胶灵敏度提高，曝光时间短，但往往使光刻胶的其他属性变差。 ③低缺陷。在集成电路芯片的加工进程中，如果在器件上产生一个缺陷，即使缺陷的尺寸小于图形的线宽，也可能会使整个芯片失效。 ④精密的套刻对准。集成电路芯片的制造需要经过多次光刻，在各次曝光图形之间要相互套准。通常要采用自动套刻对准技术。 ⑤对大尺寸硅片的加工。为了提高经济效益和硅片利用率，一般在一个大尺寸硅片上同时制作很多个完全相同的芯片。对于光刻而言，在大尺寸硅片上满足前述的要求难度更大。;、光刻工艺流程;、涂胶; 以光刻胶在SiO2表面的附着情况为例，由于SiO2的表面是亲水性的，而光刻胶是疏水性的，SiO2表面可以从空气中吸附水分子，含水的SiO2会使光刻胶的附着能力降低。因此在涂胶之前需要预先对硅片进行脱水处理，称为脱水烘焙。 ①在150-200℃释放硅片表面吸附的水分子； ②在400℃左右使硅片上含水化合物脱水； ③进行750℃以上的脱水。; 在涂胶之前，还应在Si片表面上涂上一层化合物，其目的也是为了增强光刻胶与硅片之间的附着力。目前应用比较多的是六甲基乙硅氮烷(简称HMDS) 。 在实际应用中，HMDS的涂布都是以气相的方式进行的，HMDS以气态的形式输入到放有硅片的容器中，然后在硅片的表面完成涂布。 还可以将脱水烘焙与HMDS的气相涂布结合起来进行。硅片首先在容器里经过100-200℃的脱水烘焙，然后直接进行气相涂布。由于避免了与大气的接触，硅片吸附水分子的机会将会降低，涂布HMDS的效果将会更加理想。;涂胶工艺步骤： ①将光刻胶溶液喷洒到硅片表面上； ②加速旋转托盘(硅片)，直至达到需要的旋转速度； ③达到所需的旋转速度后，保持一定时间的旋转。; 光刻胶的膜厚与光刻胶本身的黏性有关 对于同样的光刻胶，光刻胶的膜厚由旋转速度决定，转动速度越快，光刻胶层的厚度越薄，光刻胶的均匀性也越好。 涂胶的过程应始终在超净环境中进行。同时喷洒的光刻胶溶液中不能含有空气，因为气泡的作用与微粒相似，都会在光刻工艺中引起缺陷。;、前烘;降低灰尘的玷污； 减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶的附着性。 如果光刻胶没有经过前烘处理，对于正胶来说，非曝光区的光刻胶由于溶剂的含量比较高，在显影液中也会溶解变簿，从而使光刻胶的保护能力下降。;前烘的温度和时间需要严格地控制。 前烘的温度太低或时间太短 光刻胶层与硅片表面的黏附性差； 由于光刻胶中溶剂的含量过高，曝光的精确度也会变差； 太高的溶剂浓度使显影液对曝光区和非曝光区光刻胶的选择性下降，导致图形转移效果不好。 前烘温度太高 光刻胶层的黏附性也会因为光刻胶变脆而降低； 过高的烘焙温度会使光刻胶中的感光剂发生反应，使光刻胶在曝光时的敏感度变差。; 前烘通常采用干燥循环热风、红外线辐射以及热平板传导等热处理方式。 在ULSI工艺中，常用的前烘方法是真空热平板烘烤。真空热平板烘烤可以方便地控制温度，同时还可以保证均匀加热。 ;、显影;目前广泛使用的显影的方式是喷洒方法。 可分为三个阶段： ①硅片被置于旋转台上，并且在硅片表面上喷洒显影液； ②然后硅片将在静止的状态下进行显影； ③显影完成之后，需要经过漂洗，之后再旋干。 喷洒方法的优点在于它可以满足工艺流水线的要求。;、坚膜; 光刻胶的光学稳定是通过紫外光辐照和加热来完成的。经过UV辐照和适度的热处理(110℃)之后，在光刻胶的表面图形上可以形成交叉链接的硬壳，可以使光刻胶图形在高温过程中不会变形。 光学稳定可以使光刻胶产生均匀的交叉链接，提高光刻胶的抗刻蚀能力，进而提高刻蚀工艺的选择性。 经过UV处理的光刻胶，要先经过氧等离子的活化，然后通过湿法除去。; 刻蚀 去胶;、分辨率; 设有一物理线度L，为了测量和定义它，必不可少的误差为ΔL，根据量子理论的不确定性关系，则有 其中h是普朗克常数，Δp是粒子动量的不确定值。对于曝光所用的粒子束，若其动量的最大变化是从-p到+p，即Δp=2p，代入上式，则有 ΔL在这里表示分清线宽L必然存在的误差。若ΔL就是线宽，那么它就是物理上可以得到的最细线宽，因而最高的分辨率 ;不同的粒子束，因其能量、动量不同，则ΔL亦不同。对于光子 通常把上式看作是光学光刻方法中可得到的最细线条，即不可能得到一个比λ/2还要细的线条。 其物理图像是，光的波动性所显现的衍射效应限制了线宽≥ λ/2 。因此最高分辨率为： 这是仅考