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1;互连材料－Interconnection;CMOS标准金属化;TiN的作用;第九章 金属化与多层互连;9.1 集成电路对金属化 的基本要求;9.2 Al的应用;9.2.2 Al/Si接触的物理现象;9.2.3 Al/Si接触的尖楔现象;尖楔现象;9.2.5 电迁移现象及改进;9.3 Cu及低K介质;9.3 Cu及低K介质;Cu互连工艺的关键;9.3.2 Cu互连工艺流程;9.3.5 Cu的淀积;铜金属化（Copper Metallization）;;9.4 多晶硅及硅化物; ;互连引线面积与各种互连延迟;9.5 VLSI与多层互连;9.5.1 多层互连对VLSI的意义;平坦化的必要性;9.5.4 平坦化;BPSG回流工艺;9.5.5 CMP工艺;9.5.5 CMP工艺
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