学习情境二电力电子器件及其驱动保护.pptVIP

* 2.5.2 GTR的结构和工作原理 达林顿GTR 1.R1，R2：稳定电阻，提供反向漏电流 通路，提高复合管的温度稳定性 2.VD1：加速二极管，为V2提供反向IB通路 3.VD2：续流二极管 图2-17 达林顿管 第62页，共111页，编辑于2022年，星期六 * 2.5.3 GTR的基本特性 1)? 静态特性 共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区。 在电力电子电路中GTR工作在开关状态。 在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区。 图2-18 共发射极接法时GTR的输出特性 第63页，共111页，编辑于2022年，星期六 * 2.5.3 GTR的基本特性 2)? 动态特性 开通过程 延迟时间td和上升时间tr，二者之和为开通时间ton。 加快开通过程的办法 ：增大ib和dib/dt。 关断过程 储存时间ts和下降时间tf，二者之和为关断时间toff 。 加快关断速度的办法：减少导通的饱和深度或增大基极抽取负电流Ib2幅值和负偏压。 GTR的开关时间在几微秒以内，比晶闸管和GTO都短很多 。 i b I b1 I b2 I cs i c 0 0 90% I b1 10% I b1 90% I cs 10% I cs t 0 t 1 t 2 t 3 t 4 t 5 t t t off t s t f t on t r t d 图2-19 GTR的开通和关断过程电流波形 第64页，共111页，编辑于2022年，星期六 * 2.5.4 GTR的主要参数 前已述及：电流放大倍数?、直流电流增益hFE、集射极间漏电流Iceo、集射极间饱和压降Uces、开通时间ton和关断时间toff (此外还有)： 1)??最高工作电压 GTR上电压超过规定值时会发生击穿。 击穿电压不仅和晶体管本身特性有关，还与外电路接法有关。 BUcbo BUcex BUces BUcer Buceo。 实际使用时，最高工作电压要比BUceo低得多。 第65页，共111页，编辑于2022年，星期六 * 2)?集电极最大允许电流IcM 通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic 。 实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点。 3) 集电极最大耗散功率PcM 最高工作温度下允许的耗散功率。 产品说明书中给PcM时同时给出壳温TC，间接表示了最高工作温度 。 2.5.4 GTR的主要参数 第66页，共111页，编辑于2022年，星期六 * GTR的二次击穿现象与安全工作区 一次击穿：集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大。 只要Ic不超过限度，GTR一般不会损坏，工作特性也不变。 二次击穿：一次击穿发生时，Ic突然急剧上升，电压陡然下降。 常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变 。 安全工作区（Safe Operating Area——SOA） 最高电压UceM、集电极最大电流IcM、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。 SOA O I c I cM P SB P cM U ce U ceM 图2-20 GTR的安全工作区 2.5.4 GTR的主要参数 第67页，共111页，编辑于2022年，星期六 * 2.5.5 BJT与晶闸管的性能比较  项目 晶闸管 BJT 最高耐压 额定电流 12000V 4000A 1200V 600A 开通时间 ≤几微秒 几微秒 关断时间 几十至几百微秒 几微秒 正向压降 1～2V 0.1~0.7V（单管） 0.8~2.1V（达林顿管） 漏电流 几毫安以下 几百微安以下 开关方法及 所需能量 开通：控制极触发电流（功率为几瓦以下） 关断：阴极加负电压 开通：基极流过电流（功率为几瓦以下） 关断：基极电流消失 关断时的保护 用缓冲电路抑制反峰电压及du/dt 用缓冲电路将电压电流限制在安全工作区 浪涌冲击 10倍的额定电流（重复性） 20倍的额定电流（非重复性） 二倍的额定电流（非重复性） 误动作 （控制可靠性） 控制极干扰信号，过大的du/dt会引起误触发，故需抑制措施，以防止电源短路损坏元件 基极干扰信号，过大du/dt造成瞬时导通，但可复原，不致引起损坏。若是电源短路，工作点超出安全工作区，会损坏元件 维护 无活动部件，不易损坏部件，需维护 （同晶闸管） 寿命 半永久性 半永久性 二次击穿 不存在 存在 第68页，共111页，编辑于2022年，星期六 * 2.6 电力场效应晶体管（MOSFET） 2.6.1 引言 2.6.2 电力MOSFET的结构和工作原理 2.6.3