第四讲：淀积工艺(半导体制造技术.pptxVIP

第四讲：淀积工艺(半导体制造技术会计学概 述第1页/共67页 薄膜淀积是芯片加工过程中一个至关重要的工艺步骤，通过淀积工艺可以在硅片上生长导各种导电薄膜层和绝缘薄膜层。 各种不同类型的薄膜淀积到硅片上，在某些情况下，这些薄膜成为器件结构中的一个完整部分，另外一些薄膜则充当了工艺过程中的牺牲品，并且在后续的工艺中被去掉。 本章将讨论薄膜淀积的原理、过程和所需的设备，重点讨论SiO2和Si3N4等绝缘材料薄膜以及多晶硅的淀积。金属和金属化合物薄膜的淀积将在第13章中介绍。目 标第2页/共67页通过本章的学习，将能够：1. 描述出多层金属化。叙述并解释薄膜生长的三个阶段。2. 提供对不同薄膜淀积技术的慨况。3. 列举并描述化学气相淀积（CVD）反应的8个基本步骤，包括不同类型的化学反应。4. 描述CVD反应如何受限制，解释反应动力学以及CVD薄膜掺杂的效应。5. 描述不同类型的CVD淀积系统，解释设备的功能。讨论某种特定工具对薄膜应用的优点和局限。6. 解释绝缘材料对芯片制造技术的重要性，给出应用的例子。7. 讨论外延技术和三种不同的外延淀积方法。8. 解释旋涂绝缘介质。 Poly多晶金属金属氮化硅顶层氧化硅垫氧化层氧化硅ILD场氧化层n+p+n+p+金属前氧化层n-well侧墙氧化层p- epi layer栅氧化层p+ silicon substrate第3页/共67页MSI时代nMOS晶体管的各层膜Figure 11.1引 言第4页/共67页 从MSI到LSI时代，芯片的设计和加工相对较为直接，上图给出了制作一个早期nMOS所需的淀积层。图中器件的特征尺寸远大于1μm。如图所示，由于特征高度的变化，硅片上各层并不平坦，这将成为VLSI时代所需的多层金属高密度芯片制造的限制因素。 随着特征尺寸越来越小，在当今的高级微芯片加工过程中，需要6层甚至更多的金属来做连接（第六页的图），各金属之间的绝缘就显得非常重要，所以，在芯片制造过程中，淀积可靠的薄膜材料至关重要。薄膜制备是硅片加工中的一个重要工艺步骤。 LI metalVia压点金属钝化层ILD-6ILD-5 M-4ILD-4M-3ILD-3M-2ILD-2M-1ILD-1Poly gateLI oxidep+p+n+n+p+n+STIn-wellp-wellp- Epitaxial layerp+ Silicon substrateULSI硅片上的多层金属化第5页/共67页Figure 11.3第6页/共67页芯片中的金属层Photo 11.1 第7页/共67页薄膜淀积 半导体器件工艺中的“薄膜”是一种固态薄膜，薄膜的种类和制备方法在第四章中已作过简单介绍。 薄膜淀积是指任何在硅片衬底上物理淀积一层膜的工艺，属于薄膜制造的一种工艺，所淀积的薄膜可以是导体、绝缘材料或者半导体材料。比如二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅以及金属（Cu、W）. Oxide厚与衬底相比薄膜非常薄宽Silicon substrate长固态薄膜第8页/共67页Figure 11.4薄膜特性第9页/共67页好的台阶覆盖能力填充高的深宽比间隙的能力好的厚度均匀性高纯度和高密度受控制的化学剂量高度的结构完整性和低的膜应力好的电学特性对衬底材料或下层膜好的黏附性均匀厚度非共形台阶覆盖共形台阶覆盖膜对台阶的覆盖第10页/共67页 我们期望膜在硅片表面上厚度一致，但由于硅片表面台阶的存在，如果淀积的膜在台阶上过渡的变薄，就容易导致高的膜应力、电短路或在器件中产生不希望的诱生电荷。应力还可能导致衬底发生凸起或凹陷的变形。2 1500 ? 250 ?250 ?W 深度 宽度深宽比 = 深宽比 = =D500 ?第11页/共67页高的深宽比间隙可以用深宽比来描述一个小间隙（如槽或孔），深宽比定义为间隙的深度和宽度的比值(见下图)Figure 11.6高的深宽比间隙第12页/共67页Photograph courtesy of Integrated Circuit EngineeringPhoto 11.2气体分子成核凝聚连续的膜Substrate薄膜生长的步骤第13页/共67页Figure 11.7第14页/共67页膜淀积技术Table 11.1化学气相淀积第15页/共67页 化学气相淀积（CVD）是通过气体混合的化学反应在硅片表面淀积一层固体膜的工艺。硅片表面及其邻近的区域被加热来向反应系统提供附加的能量。包括：1. 产生化学变化，这可以通过化学反应或热分解；2. 膜中所有的材料物质都源于外部的源；3. 化学气相淀积工艺中的反应物必须以气相形式参加反应。 化学气相淀积的设备第16页/共67页Photo 11.3CVD 化学过程第17页/共67页高温分解： 通常在无氧的条件下，通过加热化 合物