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集成电路图设计;版图设计流程;3;选择工艺流程需要考虑的因素;7.1 工艺流程定义;金属布线层及其性能参数;MOSIS为?mCMOS工艺定义的全部工艺层;新加坡Chartered ?mCMOS工艺定义的全部工艺层;0.18?m 制程结构;10;7.2 版图几何设计规则;1. 最小宽度(minWidth);?m CMOS工艺中各版图层的线条最小宽度;2. 最小间距(minSep);?m CMOS工艺版图各层图形之间的最小间隔;3. 最小交叠(min Overlap); X
Y ;新加坡Chartered ?mCMOS工艺设计规则;4. 设计规则举例;20;8.3 图元;1. NMOS和PMOS;NMOS 俯视图;PMOS 俯视图;2. 电阻(Resistor);多晶硅电阻;多晶硅电阻（续）;有源层电阻;有源层电阻(续);阱区电阻;电容(Capacitance);互连(Interconnect);焊盘(Pad);34;7.4 电学设计规则 ;电学设计规则描述;37;7.5 布线规则;39;7.6 版图设计;;3. 元件布局与布线;CMOS差动放大器单元电路设计版图的过程 ;;CMOS差动放大器单元电路设计版图的过程;CMOS差动放大器单元电路设计版图的过程;4. 版图设计注意事项;4. 版图设计注意事项（续1）;4 . 版图设计注意事项（续2）;4. 版图设计注意事项（续3）;4. 版图设计注意事项（续4）;52;7.7 版图验证;7.8 版图数据提交;有关Cadence Tools的使用; 有关Cadence Tools的使用（续）;本章习题;58
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