电力电子器件的基本特性.pptxVIP

会计学;第2章 电力半导体器件的基本特性 ;重点和难点 ;§2.1 电力半导体器件的种类及应用 ;不可控器件：器件本身没有导通、关断控制功能，而需要根据电路条件决定其导通、关断状态的器件称为不可控器件。如：电力二极管（Power Diode）； 半控型器件：通过控制信号只能控制其导通，不能控制其关断的电力电子器件称为半控型器件。 如：晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件等； 全控型器件：通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断的器件，称为全控型器件。 如：门极可关断晶闸管（Gate-Turn-Off Thyristor ）、 功率场效应管（Power MOSFET）和绝缘栅双极型晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor）等。 ;二、电力电子器件按控制信号的性质不同又可分为两种： ;附表2.1:主要电力半导体器件的特性及其应用领域;§2.2 半导体整流管 ;§2.2 半导体整流管 ; PN结的状态;其它类型的整流管;§2.3 晶闸管和可关断晶闸管;晶闸管（SCR）;1、晶闸管及其工作原理;常用大功率晶闸管实物外形;晶闸管的工作原理; 要使晶闸管由关断状态转变成导通状态，还有三种情况均无须门极触发信号，属于非正常导通： ① 正向转折导通：提高UAK正向电压，阳极电流IA增加，直至晶闸管转入通态； ② 温度导通：当温度增加时，流过PN结（J2）的反偏漏电流随着增加，直至晶闸管转入导通； ③ du/dt导通：各PN结都存在着电容。在A-K两端加正向变化的电压时，各PN结将流过充电电流，其作用也相当于阳极电流IA增加，直至晶闸管导通。 ;2. 晶闸管的伏安特性 ;3. 晶闸管的开关过程;1)又称光触发晶闸管，是利用一定波长的光照信号触发导通的晶闸管。 2) 小功率光控晶闸管只有阳极和阴极两个端子。 3）大功率光控晶闸管则还带有光缆，光缆上装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器。 4）光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位。; 可允许开关频率在400HZ以上工作的晶闸管称为快速晶闸管(Fast Switching Thyrister，简称FST)，开关频率在10KHZ 以上的称为高频晶闸管。 快速晶闸管为了提高开关速度，其硅片厚度做得比普通晶闸管薄，因此承受正反向阻断重复峰值电压较低，一般在2000V以下。 快速晶闸管du/dt的耐量较差，使用时必须注意产品铭牌上规定的额定开关频率下的du/dt，当开关频率升高时，du/dt 耐量会下降。; 可认为是一对反并联联接的普通晶闸管的集成。 有两个主电极T1和T2，一个门极G。 正反两方向均可触发导通，所以双向晶闸管在第Ｉ和第III象限有对称的伏安特性。 与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（SSR）和交流电机调速等领域应用较多。 通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。; 1)将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 2)与普通晶闸管相比，逆导晶闸管具有正压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点； 3)根据逆导晶闸管的伏安特性可知，它的反向击穿电压很低；因此只能适用于反向不需承受电压的场合； 4)逆导晶闸管存在着晶闸管区和整流管区之间的隔离区； 5)逆导晶闸管的额定电流分别以晶闸管和整流管的额定电流表示；;§门极可关断晶闸管（GTO） ; 与普通晶闸管的相同点： PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极。 和普通晶闸管的不同点：GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个甚至数百个共阳极的小GTO元，这些GTO元的阴极和门极则在器件内部并联在一起。;1）GTO的导通机理与SCR是相同的。GTO一旦导通之后，门极信号是可以撤除的, 但在制作时采用特殊的工艺使管子导通后处于临界饱和，而不象普通晶闸管那样处于深饱和状态，这样可以用门极负脉冲电流破坏临界饱和状态使其关断。 2）在关断机理上与SCR是不同的。门极加负脉冲即从门极抽出电流(即抽取饱和导通时储存的大量载流子)，强烈正反馈使器件退出饱和而关断。 ; 导通过程与SCR一样，只是导通时饱和程度较浅。需经过延迟时间td和上升时间tr。 ;GTO在应用中要注意以下方面的问题： ;§2.4 功率场效应管和绝缘栅双极型晶体管 ;功率场效应管（MOSFET）;2. 功率MOSFET的静态输出特性;3. 功率MOSFET的开关特性;4、安全工作区;5. 功率MOSFET的特点 ;绝缘栅双极型晶体管（IGBT）;IGBT基本