3.1 晶体管的高频小信号模型.pdfVIP

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2022-04-01 发布于广东
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放大电路的频率特性 ➢ 三极管的高频小信号模型物理模型发射结正偏，结电容由扩散电容决定(Cb e 达100pF)；集电结反偏，结电容由势垒电容决定(Cb c 几个pF)。 r 、r （集电区和发射区的体电阻，很小） c e 混合π模型忽略r 、r c e 混合π模型 r r 代表基区体电阻，为发射结动态电阻在基极回路中的折合值 bb’ b e r (1+)26mV / I be EQ .  . V g Vbe  I   b e m 为受控电流源，与低频模型中的 0 b 相对应。 g V  I  m b e 0 b 0 r  b e I b 对集电极电流没有贡献； 0  I b 才能影响集电极电流的大小。 g m r b e 简化的混合π模型忽略r