硅集成电路制造工艺一f.pptVIP

薄膜生长 薄膜外延生长 Silicon VLSI Technology 硅基大规模集成电路制作技术 集成电路的发展 单个器件的尺寸越来越小 晶片的尺寸越来越大 器件变小 减小光刻的特征线宽（Lateral feature size) 从设计上缩小器件的尺寸 设计功能强大，集成度更高的器件 晶片变大 硅晶的生产工艺提高，可以生成更大直径的晶体 薄膜生长，光刻，蚀刻等制作工艺的性能提高 制作生产线的改进 Moore’s Law 半导体材料：硅 1960年以前，Ge和GaAs占半导体的主导地位。 1953年，Brattain 和 Bardeen发现可以利用氧气，水等使 半导体表面氧化； 1960年，高质量的SiO2直接生长在Si表面 1947年，第一个点接触式半导体器件（复合锗晶体）诞生，两年 后基于单晶硅的器件产生 硅还具有其它良好特性，自此以后成为半导体领域的主导者 Intel CPU的发展 例：Silicon IC 关键步骤或工艺 晶体生长 光刻 氧化 扩散 离子注入 蚀刻 薄膜生长 后道工艺 光刻 掩膜和套刻 Photolithography 氧化