电工学第七版第十四章二极管和三极管.pptVIP

晶体管三种工作状态的电压和电流 (a)放大 + UBE 0 ? IC IB + UCE ? ? UBC 0 + (b)截止 IC ? 0 IB = 0 + UCE ? UCC ? ? UBC 0 + + UBE ? 0 ? (c)饱和 + UBE 0 ? IB + UCE ? 0 ? ? UBC 0 + 当晶体管饱和时， UCE ? 0，发射极与集电极之间如同一个开关的接通，其间电阻很小； 当晶体管截止时，IC ? 0 ，发射极与集电极之间如同一个开关的断开，其间电阻很大。 所以晶体管除了有放大作用外，还有开关作用 * 阴极引线 阳极引线 二氧化硅保护层 P 型硅 N 型硅 ( c ) 平面型 金属触丝 阳极引线 N 型锗片 阴极引线 外壳 ( a ) 点接触型 铝合金小球 N 型硅 阳极引线 PN 结 金锑合金 底座 阴极引线 ( b ) 面接触型 图 1 – 12 半导体二极管的结构和符号 二极管的结构示意图 阴极 阳极 ( d ) 符号 D * 二极管实际外形 * 14.3.2 伏安特性 硅管0.5V锗管0.1V 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 当外加电压死区电压,二极管才能导通。 当外加电压反向击穿电压,二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内基本 保持常数。 电流的正半部分单位为mA，负半部分为μA * 14.3.3 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 * 总结：二极管的单向导电性 1. 二极管加正向电压（正向偏置，阳极接正、阴极接负 ）时， 二极管处于正向导通状态，二极管正向电阻较小，正向电流较大。 2. 二极管加反向电压（反向偏置，阳极接负、阴极接正 ）时， 二极管处于反向截止状态，二极管反向电阻较大，反向电流很小。 3.当外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 4.二极管的反向电流受温度的影响，温度愈高反向电流愈大。 * 二极管电路分析举例（考点） 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 非理想，正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 定量分析：若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 * 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 例1： 思路： 1、取 B 点作参考点 2、断开二极管 3、分析二极管V阳、 V阴 在这里，二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – * 两个二极管的阴极接在一起 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通，若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB = 0 V ，D1截止。 例2: D1承受反向电压为－6 V 流过 D2 的电流为 求：UAB 这里，D2 起钳位作用， D1起隔离作用。 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + –