参考文献1Win半导体公司提供的Q1H201B1及Q1H101B1.pptxVIP

周报 数据处理 Win半导体公司提供的Q1H201B1及Q1H101B1 辐照剂量：1M、3M、7M、10M 文献阅读 201DC截止频率Ft 201DC Ft数据分析 发射结电容充放电时间、集电极结充放电时间： 只与电阻和电容有关 基区渡越时间： 与扩散系数和基区宽度有关 集电极空间电荷区延迟时间： 与BC结空间电荷区宽度和饱和漂移速度有关 截止频率Ft的下降主要是由电子迁移率影响的 辐照引起的位移损伤造成电子迁移率的下降 101 AC Hd(1,2) Ft=(10**(db(Hd(2,1))/20))*freq 文献阅读 文献阅读 相关书籍阅读 先进半导体材料与器件的辐照效应 下一步工作 逐渐熟悉实验方法与流程