半导体器件物理_2.3 非理想效应 .pdfVIP

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2.3 非理想效应 2.3 非理想效应 2.3.1 基区宽度调变效应 在共发射极电路正向有源模式下,对于给定的基极电流, 在前面的讨论中,我们所考虑的晶体管是均匀 集电极电流应当与集电极电压无关。左图中的曲线斜率应 掺杂、小注入、发射区和基区宽度恒定、禁带 为零。实际中(右图)的电流却随集电极电压的增加而增 宽度为定值、电流密度为均匀值。如果这些情 加。这种现象起因于晶体管的基区宽度调变效应 况中的任何一个不满足,晶体管的特性就会与 我们得到的理想情况不一致。 1 α T 1 ⎛x ⎞2 2.3 非理想效应 2.3 非理想效应 1+ 2 ⎜⎜LB ⎠⎟⎟ ⎝ B 2.3.1 基区宽度调变效应 2.3.1 基区宽度调变效应 基区有效宽度随集电结偏压变化的现象称为基区宽度调变效应 前面的讨论中默认有效基区宽 (厄尔利效应) x x 厄尔利电压V 反映了基区宽度调变效应对电流放大系数的影响 度 B 是不变的,实际上 B 是 EA α I

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