《微波技术与天线（第四版）》（11章）第9章面天线.pptxVIP

第 9 章 面天线;9.1 基本概念和公式;9.1.2 惠更斯元的辐射 　　1.惠更斯元的辐射场 　　惠更斯元是分析面天线的基本辐射单元。设平面口径上的一个惠更斯元如图9-1所示, 其面元dS=dxdy,若面元上的切向电场为Ey,切向磁场为 Hx,则惠更斯元的辐射场为;　　惠更斯元在 E面和 H 面的辐射场可统一表达为惠更斯元的方向函数为;　　2.结论 　　惠更斯元具有单向辐射特性,且其最大辐射方向在θ=0°方向上,即最大辐射方向与面元相垂直。其方向图如图9-2所示。;;9.1.3 平面口径的辐射 　　1.平面口径的辐射 　　设平面口径S 位于xOy 平面上(见图9-3),坐标原点到观察点 M 的距离为R,面元 dS 到观察点M 的距离为r,口径面在远处辐射场的一般表达式为;;．　　2.S为矩形口径时辐射场的特性 　　设矩形口径(见图9-4)的尺寸为D1×D2。 　　1)口径场沿y轴线极化且均匀分布(即 Ey=E0) E平面和 H 平面的方向函数分别为;;　　图9-5为矩形口径场沿y 轴线极化且均匀分布时的 E面和 H 面方向图,其最大辐射 方向在θ=0°方向上,且当D1/λ 和D2/λ 都较大时,辐射场的能量主要集中在z 轴附近较 小的θ角范围内。因此在分析主瓣特性时可认为(1+cosθ)/2≈1。;;　　① 主瓣宽度和旁瓣电平为　　E面和 H 面的第一旁瓣电平为　　② 方向系数为;　　2)口径场沿y轴线极化且振幅沿x轴余弦分布　　E面和 H 面方向函数分别为;　　① 主瓣宽度和旁瓣电平为　　E面第一旁瓣电平为　　H 面第一旁瓣电平为;　　② 方向系数为其中,υ为口径利用因数,此时υ=0.81,而均匀分布时υ=1。;　　3.S为圆形口径时的辐射特性 　　1)口径场沿y轴线极化且在半径为a的圆面上(见图9-6)均匀分布(即 Ey=E0) 两主平面的方向函数为;;　　① 主瓣宽度为　　② 第一旁瓣电平为　　③ 方向系数为;　　2)口径场沿y轴线极化且振幅沿半径方向呈锥削分布式中,m=0,1,2,…。m 越大,意味着锥削越严重即分布越不均匀,m=0对应于均匀分 布。;　　锥削分布时的方向函数为其中;　　4.结论 　　平面不同口径场分布时的方向图如图9-7所示。　　① 平面口径的最大辐射方向在口径平面的法线方向(即θ=0°)上。　　② 平面口径辐射的主瓣宽度、旁瓣电平和口径利用因数均取决于口径场的分布情况。　　③ 在口径场分布一定的情况下,平面 口 径 电 尺 寸 越 大,主 瓣 越 窄,口 径 利 用 因 数 越大。;　　;　　5.口径场不同相时对辐射的影响 　　① 直线律相移:当平面电磁波倾斜投射于平面口径时,在口径上形成线性相位相移。 口径场相位沿x 轴有直线律相移时,方向图形状并不发生变化,但整个方向图发生了平移,且相位偏移βm 越大,方向图平移越大。;?;;9.1.4 旋转抛物面天线 　　1.旋转抛物面天线的结构 　　旋转抛物面天线是由两部分组成的,其一是抛物线绕其焦轴旋转而成的抛物反射面; 其二是置于抛物面焦点的馈源,如图9-9所示。　　设D0=2a 为抛物面口径的直径,ψ0 为抛物面口径的张角,则两者的关系为;;　　2.抛物面天线的工作原理 　　置于抛物面焦点的馈源将高频导波能量转变成电磁波能量并投向抛物反射面,如果馈 源辐射理想的球面波,而且抛物面口径尺寸为无限大时,则抛物面就把球面波变为理想平 面波,能量沿z 轴正方向传播,其它方向的辐射为零,从而获得很强的方向性。但实际上抛物面天线的波束不可能是波瓣宽度趋于零的理想波束,而是一个与抛物面口径尺寸及馈 源方向图有关的窄波束。;　　3.抛物面天线的辐射特性 　　1)口径场分布 　　设馈源的辐射功率为PΣ,方向函数为Df(ψ),则口径场的表达式为;　　因此口径场分布有如下特点: 　　① 即使馈源是一个无方向性的点源,即Df(ψ)=常数,ES 随ψ 的增大仍按1/ρ规律 逐渐减小。 　　② 通常,馈源的辐射也是随ψ 的增大而减弱,考虑两方面的原因,口径场的大小由口 径沿径向ρ逐渐减小,越靠近口径边缘,场越弱,但各点的场的相位都相同。;　　2)口径场的极化 　　口径场是辐射场,是横电磁波,所以场矢量必然与z 轴垂直,即在口径上一般有x 和 y 两个极化分量。对于焦距直径比较大的天线来说,口径场的y 分量称为口径场的主极化 分量,而把x 分量称为口径场的交叉极化分量。口径场的主极化分量在四个象限内都具有 相同的方向,而交叉极化分量在四个象限的对称位置上大小相等、方向相反。因此口径场 的交叉极化分量在z