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- 2022-04-07 发布于上海
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非线性微波电路与系统
2
微波振荡器
双极晶体管:
工作频率低,相位噪声低,直流到射频的转换效率高。
FET类(包括GaAs MESFET、HEMT、PHEMT和HBT等):
相位噪声大,结构简单,便于集成,成本低,可以用于更高的频率 。
雪崩(IMPATT)和耿氏(Gunn)二极管:
工作频率高,噪声电平比较高,直流到射频的转换效率很低 。
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3
§10.1 基本理论 (负阻振荡理论 )
微波振荡器
物理概念:阻抗的实部为负,即“负阻”
源
或
负载
或
振荡平衡条件
幅度平衡条件,决定振荡器的输出功率
相位平衡条件,决定振荡器的振荡频率
或
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4
稳定振荡过程是一个逐步建立起来的瞬态,振荡开始时V0和I0很小,不满足上式,直到 V0和I0 很大到达某一定值时,上式成立,振荡趋于稳定。且受扰动后,正弦电压和电流仍回到它的稳定值。稳定振荡另一种表达方式:
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5
§10.1 基本理论
微波振荡器
正反馈理论→三极管振荡器
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6
微波振荡器
第6页/共50页
7
FET振荡器的设计与FET放大器十分相似,它使用的器件,偏置电路以及S参数都与放大器相同,只是工作在不稳定区域
为了实现低噪声和高频率稳定度,谐振器的设计通常也包含在振荡器的设计中,谐振器可以是集中参数电路,
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