半导体物理：习题答案1.pptVIP

第一次作业 1、在格点上排列大小相同的钢球，当钢球紧密堆积时，求简单立方、体心立方、面心立方、金刚石结构的原胞中钢球体积和原胞体积之比（填充率）。 解：设填充率为n，原胞边长为a，则： (1)简单立方： (2)体心立方： (3)面心立方： (4)金刚石结构： 第一次作业 2、试证六角密堆结构中 证明：在如图所示的正四面体中， 第一次作业 3、在面心立方中，晶面指数 ( h1 h2 h3 ) 与密勒指数 ( h k l )存在如下关系： ，试证之。体心立方的晶面指数 ( h1 h2 h3 ) 与密勒指数 ( h k l ) 又存在何规律？ 证明：设一晶面与固物原胞(a1 a2 a3)三坐标轴的截距为r1，r2，r3，而该晶面与结晶学原胞(a b c)三坐标轴的截距为l1，l2，l3，由定义： 第一次作业 对于面心立方： 第一次作业 对于体心立方： 第一次作业 4、试证体心立方点阵与面心立方点阵互为正倒点阵。 证明：体心立方点阵： 面心立方点阵： 倒点阵： 第一次作业 对于体心立方： 体心立方倒点阵为： 为面心立方点阵 第一次作业 对于面心立方： 面心立方倒点阵为： 为体心立方点阵 所以体心立方点阵与面心立方点阵互为正倒点阵 第一次作业 5、试证 ? 倒格矢 垂直于晶面指数为 ( h1 h2 h3 ) 的晶面系；? 晶面指 数为 ( h1 h2 h3 ) （其中h1 h2 h3互质）的晶面系面间距 。 证明： ? 第一次作业 同理， Kh ? CB = 0 ? 第二次作业 1、设晶格常数为a的一维晶格，导带极小值附近能量Ec(k)和价带极大值附近能量Ev(k)分别为： m0为电子惯性质量，k1=1/2a，a=0.314nm。试求： 1）禁带宽度； 2）导带底电子有效质量； 3）价带顶电子有效质量； 4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化。 1）由极值条件： 求得：当 时， 当 时， 2）电子有效质量： 导带底电子有效质量： 3）价带顶电子有效质量： 4）在价带顶 ，在导带底 准动量变化 2、晶格常数为0.25nm的一维晶格，当外加102V/m，107V/m的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需要的时间。 解：准动量定理： 当E=102V/m，t=8.3×10-8s 当E=107V/m，t=8.3×10-13s 3、锑化铟的禁带宽度Eg=0.18eV，相对介电常数 ，电子的有效质量 ，m0为电子的惯性质量，求 i )施主杂质电离能；ii )施主的弱束缚电子基态轨道半径。 解：i）施主杂质电离能： 其中 ii）波尔半径： 电子基态轨道半径： 4、磷化镓的禁带宽度Eg=2.26eV，相对介电常数 ，空穴有效质量 ，m0为电子的惯性质量，求 i )受主杂质电离能；ii )受主所束缚的空穴的基态轨道半径。 解：i）受主杂质电离能： 其中 ii）波尔半径： 空穴基态轨道半径： * * a a a1 a2 a3 a c b a1 a2 a3 O B C a3/h3 a1/h1 a2/h2 Kh A 晶面族(h1 h2 h3)中最靠近原点的晶面ABC在基矢a1,a2,a3 上的截距为a1/h1, a2/h2, a3/h3. CA = OA – OC = a1/h1 - a