具有结型场板的横向功率MOS器件仿真设计.docx

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2022-04-20 发布于广东
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具有结型场板的横向功率MOS器件仿真设计.docx

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PAGE 1 具有结型场板的横向功率MOS器件仿真设计摘要为了达到横向功率器件的低导通电阻和高耐压电阻性能，本文提出了一种不同的结型场板技术。结型场板技术不但保留了以前电阻场板调制器件表面电场的优势，还实现了电阻场板漏电流大的问题，对提高器件的静电性能起到了特别重要的作用。本文将结型场板技术应用于LDMOS，提出了新的LDMOS器件结构。新型结型场板技术，既可以调整功率器件的表面电场，还可以与漂移区形成MIS结构，可以方便漂移区排气，提升漂移区的掺杂浓度。本文对应用有结型场板的LDMOS的结构和机理进行了分析，并对其静态特性进行了分析，针对关键器件参数进行了优化，同时对工艺流