基于MOCVD系统的制作铟镓砷光电探测器芯片的渐变型锌扩散方法.pdfVIP

（19）中华人民共和国国家知识产权局 （12）发明专利申请 （10）申请公布号 CN101567407A （43）申请公布日 2009.10.28 （21）申请号CN200910062357.1 （22）申请日2009.06.03 （71）申请人武汉华工正源光子技术有限公司 地址430223湖北省武汉市东湖高新技术开发区华中科技大学科技园正源光子产业园 （72）发明人吴瑞华;刘建军 （74）专利代理机构武汉开元知识产权代理有限公司 代理人朱盛华 （51）Int.CI H01L31/18; C23C16/44; 权利要求说明书 说明书 幅图 （54）发明名称 基于 MOCVD系统