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习题四参考答案 某机主存储器有 16 位地址，字长为 8 位。 如果用 1k×4 位的RAM 芯片构成该存储器，需要多少片芯片？ 该存储器能存放多少字节的信息？ 片选逻辑需要多少位地址？ 解：需要存储器总容量为：16K×8 位，故， 需要 1k×4 位的RAM 芯片位 32 片。 该存储器存放 16K 字节的信息。 片选逻辑需要 4 位地址。 用 8k×8 位的静态RAM 芯片构成 64kB 的存储器，要求： 计算所需芯片数。 画出该存储器组成逻辑框图。解：（1）所需芯片 8 片。 （2）逻辑图为： A15 A15 A14 CA13 P U A12 ... A0 WE ... 1 2 8 CS ... A12 ... A0 WE CS CS ... A12 8K×8 ... A12 ... A0 WE 8K×8 ... D0 ... D7 D0 ... D7 ... 8K×8 A0 WE D0 ... D7 D0 ... D7 用 64k×1 位的DRAM 芯片构成 256k×8 位存储器，要求： 画出该存储器的逻辑框图。 计算所需芯片数。 采用分散刷新方式，如每单元刷新间隔不超过 2ms，则刷新信号周期是多少？如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少读/写周期？ 解：（1） CS CS CS CS A7 A7 A7 A7 ... 64K×1 ... 64K×1 ... 64K×1 ... 64K×1 A0 CAS 8片 A0 CAS 8片 A0 CAS 8片 A0 CAS 8片 RAS RAS RAS RAS A17CA16 PU A17 CA16 P U A15 译 码器 A0 WE DRAMC WE WE WE WE D0 D7 设读写周期为 0.5 微妙，则采用分散式刷新方式的刷新信号周期为 1 微妙。因为 64K ×1 的存储矩阵是由四个 128×128 的矩阵构成，刷新时 4 个存储矩阵同时对 128 个元素操作，一次刷新就可完成 512 个元素，整个芯片只有 128 次刷新操作就可全部完成。所以存储器刷新一遍最少用 128 个读/写周期。 用 8k×8 位的EPROM 芯片组成 32k×16 位的只读存储器，试问： 数据寄存器多少位？ 地址寄存器多少位？ 共需多少个EPROM 芯片？ 画出该只读存储器的逻辑框图？ 解：因为只读存储器的容量为：32k×16，所以： （1）数据寄存器 16 位。 地址寄存器 15 位。 共需 8 个EPROM 芯片？ 逻辑框图为： A12 A12 A12 A12 A12 ... 8K×8 ... 8K×8 ... 8K×8 ... 8K×8 A14CA13 PU译码器CSCS A14 CA13 P U 译 码 器 CS CS CS CS A0 RD A0 OE 2片 A0 OE 2片 A0 OE 2片 A0 OE 2片 D0 ... D7 D0 ...D15 D0 ...D15 D0 ...D15 D0 D15 ×8 位的存储区域，CPU 地址总线为A0～A15，数据总线为 D0～D7，控制信号为 R/W（读/写）、MREQ（访存），要求： 画出地址译码方案。 将ROM 与RAM 同 CPU 连接。 解：依题意假设存储器ROM 和 RAM 的信息分布为： ROM（16KB）RAM（32KB）ROM 的地址为：0000H-3FFFH。RAM 由 ROM（16KB） RAM（32KB） A15A14 A15 A14 译 码器 C P U A13 1 1 1 1 1 CS A12 A12 A0 R/W ... 8K×8 A0 WE D0 ... D7 D0 D7 CS CS CS CS A13 A12 A12 A12 ... A0 16K×8 ... A0 8K×8 ... A0 8K×8 ... A0 8K×8 WE WE WE WE D0 ... D7 D0 ... D7 D0 ... D7 D0 ... D7 对于单管动态存储电路，如果其电容 C=5pF，通过晶体管的漏电流为 2nA。当电容 C 被充 满电荷时，两端电压为 4.5V。在此电压降到 3V 之前，必须被刷新，请算出最小的刷新周期。 解：因为： i c du ，其中，c=5pF,i=2nA,du=4.5-3=1.5V dt 所以，dt=3.75ms。即最小的刷新周期为 3.75ms。 标记页面1101000 页面1111111131111001 nn-1某计算机主存 标记 页面 1101000 页面 0 0101101 1 1111111 2 0000000 3 1111001 n-2 1000110 n-1 CACHE 有多少页？ CACHE 的页内地址为