材料合成与制备技术.ppt

第五章 单晶材料的制备;本章主要内容;;;;;这个叫“希望之星”的名钻，并不重，44.50ct。传说就是泰坦尼克号女主人公罗丝的那块。极富传奇色彩，1642年产自印度。传说它传到谁手中，其主人必遭厄运。 它从印度传到法国富商，后献给法王路易十四。前者被野狗咬死，后者得了天花死去。 又传给路易十五，在法国大革命中被砍头； 后传给路易十六，他也被送上断头台。 后被盗，在伦敦市场又露面，被一银行家霍普(Hope)买下，从此该钻定名为“希望之星”，后来银行家穷困潦倒； 以后又传到土耳其商人手中，该家车祸翻下悬崖； 1911年传到美国，现藏于美国一家博物馆。;8;;5.1 概述;为什么要人工生长晶体?;5.1.1 人工晶体的发展 ;20世纪初（1890年），维尔纳叶（Verneuil）发明了焰熔法来生长红宝石。 查克拉斯基（Czochralski）的熔体提拉法（1918），布列奇曼（Bridgman）的坩埚下降法（1923），斯托勃（Stober）的温梯法（1925），基洛普罗斯（Kyropoulos）的泡生法（1926）等。1936年斯托克巴格（Stockbarger）用坩埚下降法成功地生长出大尺寸的碱卤化物光学单晶。;人工晶体的发展;50年代人工晶体另一个突破是1955年高压合成金刚石获得成功，实现了几代晶体生长工作者长期的梦想。 1960年在红宝石晶体上，首次实现了光的受激发射。激光的出现和激光应用的发展对人工晶体工作又是一个很大的推动。;人工晶体的发展;人工晶体的发展;中国现代晶体生长工作起步较晚，20世纪50年代初期仅有水溶性单晶和金属单晶生长，1958年以后有较大发展。 1958年，原苏联引进焰熔法合成红宝石的技术，60年代投产，主要用于手表轴承。同年，开始水热法合成水晶的研究工作，60年代中期中试。 1961年，我国开始自行设计和制造金刚石高压设备，1963年投产，对我国珠宝加工业、石材开采业、铁路设施工业和尖端科技的发展起到了重要的作用。;;;;5.1.2人工晶体的分类;一些重要的人工晶体 ;5.1.3 晶体生长方法分类;晶体生长方法的选择原则：;;5.1.4 晶体生长的基本过程;;晶体生长的基本过程;线晶靠拢形成面晶;晶面相叠形成晶核 ;晶核长大形成晶体;5.1.5晶体生长方法简介;（1）升华-凝结法（简称升华法）;; 升华-凝结示意图 1-原料，2-晶体 ;（2）气相反应法;; 典型的分子束外延（MBE）装置示意图 ; MOCVD生长设备示意图 金属有机化学气相外延淀积(或金属有机气相外延) ; 化学束外延（CBE）装置示意图 ; 离子束沉积（IBD）沉积装置示意图 1-离子源；2-磁分析器；3-电四极透镜；4-磁四极透镜；5-偏转板；6-减速透镜；7-超高真空外延生长室；8-衬底；9-真空泵系统 (减低沉积温度); （a）热丝CVD(HFCVD)装置图 CVD技术制备金刚石薄膜装置示意图 ; （b）微波等离子体CVD装置图 CVD技术制备金刚石薄膜装置示意图 微波电子回旋共振等离子体CVD(MWECR -CVD)技术 .该技术的特点是 :不含电极 ,可避免电极溅射造成的污染 ;等离子区离子密度高 ,能高度分解 ,从而可显著提高薄膜生长速率 ;改变磁场位形和结构 ,可改变等离子体分布及轰击基片离子的能量 . ; （c）直流等离子体喷射CVD装置图 CVD技术制备金刚石薄膜装置示意图; 气-液-固（VLS）生长机制示意图 ; VLS法生长金刚石晶须 ;5.1.5.2 溶液生长法;（1）变温法;;（2）蒸发法; 蒸发法育晶装置 1-底部加热器；2-晶体；3-冷凝器； 4-冷却水；5-虹吸管；6-量简； 7-接触控制器；；8-温度计；9-水封；;（3）循环流动法;（4）水热法; 高压釜示意图 ;水热法特别适用于那些具有多形变体和难溶性晶体材料的生长。 用水热法生长的晶体材料，有?-SiO2、宝石（Al2O3）、氧化锌（ZnO）、硫化镉（CdS）、碳酸钙（CaCO3）、钨酸钙（CaWO4）、钇铁石榴石（Y3Fe5O12）、钛酸钡（BaTiO3）等上百种晶体，最近又成功地用水热法合成了AlPO4、磷酸氧钛钾（KTW）等新型晶体。; 水热法生长装置 1-塞子；2-闭锁螺母；3-釜体；4-钢环；5-铜环；6-钛密封垫；7-钛内衬；8-籽晶；9-水热溶液；10-培养料 ;（5）助熔剂法（熔盐法或高温溶液法）;助熔剂法优缺点;1）助溶剂的选择;;2）无籽晶缓冷法（自发结晶法）;顶部籽晶法示意图;4）液相外延（LPE）法 ; 液相外延（LPE）生长示意图 ;