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PAGE 1 - 基于伏安特性方程的CMOS数字电路电压传输特性研究 基于伏安特性方程的CMOS数字电路电压传输特性讨论 9416〔2021〕01-0090-04 半导体集成电路技术进步快速，集成电路的应用领域近年来也更是快速地融入到人工智能、5G、云计算和物联网等领域。而在半导体集成电路的诸多类型中，尤以CMOS集成电路独占鳌头。CMOS的英文全称是ComplementaryMetalOxideSemiconductor，即互补金属氧化物半导体。在该型电路中，利用N沟道MOS晶体管和P沟道MOS晶体管的互补关系，使这类集成电路具备了功耗低、开关速度快、抗干扰能力强、电源电压适应范围宽等一系列独特的优点。因此，被广泛用于制作大规模和超大规模集成电路，例如微处理器〔CPU〕、数字信号处理器〔DSP〕以及大规模数字规律等。即使进入到当前，即半导体工艺技术进入了纳米级别，然而CMOS电路的规律结构形式几乎仍没有转变。而基于器件伏安特性方程且能定量地给出CMOS电路的电压传输特性的函数表达式，对于正确理解电路的工作过程，电路的高电平VOH、低电平VOH的数值改变和电路单元器件的版图设计等均有重要的现实意义。 1CMOS反相器及其工作原理 在CMOS电路规律中，通常只使用电子沟道的增添型NMOS晶体管与空穴沟道的增添型PMOS晶体管。而CMOS最基本的规律结构形式即是反相器，如图