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加热器上电阻的分压达到外加电压的90% 支撑梁电阻18个方块，则加热器为162个方块 电阻条长度1720?m，宽度是10?m，间距10?m Rheater=16?9+8+8?2?0.5+2?2=164 R?=16.4kΩ 测温电阻 第29页，共60页，编辑于2022年，星期日 3.6.4 工艺方案 清洗硅片 双面氧化二氧化硅2000? （干氧氧化） 双面淀积氮化硅2000? LPCVD:700?C到800?C PECVD:450?C 第30页，共60页，编辑于2022年，星期日 正面淀积多晶硅层 多晶硅薄膜性质 能承受高温处理 可以进行N型或P型（重）掺杂 多晶硅制备 LPCVD, 625 ?C 在氮化硅衬底上，择优取向是〈110〉，平均晶粒约为0.03?m的细晶粒镜面光滑的的多晶硅薄膜 薄膜厚度：1 ?m 第31页，共60页，编辑于2022年，星期日 温度对多晶硅淀积速率的影响 掺杂种类和浓度对多晶硅生长速率的影响 第32页，共60页，编辑于2022年，星期日 掺杂多晶硅 多晶硅电学性能 多晶硅薄膜的室温电阻率（a）、平均载流子浓度（b）与掺杂浓度的关系 第33页，共60页，编辑于2022年，星期日 掺杂浓度为2?1019/cm2，电阻率为0.01??cm 多晶硅薄膜的厚度为1?m 第34页，共60页，编辑于2022年，星期日 刻蚀多晶硅薄膜，制作加