薄膜沉积设备项目合作计划书（参考范文）.docx

泓域咨询/薄膜沉积设备项目合作计划书  薄膜沉积设备项目 合作计划书 xxx有限责任公司  报告说明 集成电路2D存储器件的线宽已接近物理极限，NAND闪存已进入3D时代。目前64层3DNAND闪存已进入量产阶段，128层闪存也陆续有厂商开始推出，行业预期未来将叠加至500层，技术工艺还会持续推进。3DNAND制造工艺中，增加集成度的主要方法不仅是缩小单层上线宽，而且需要增加堆叠的层数，使得一些器件结构的深宽比增加至40：1，甚至是80：1的极深孔或极深的沟槽，对薄膜沉积设备等生产设备提出了更高的要求。 根据谨慎财务估算，项目总投资31037.36万元，其中：建设投资25016.87万元