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刻 蚀 选择曝光 显影〔第 1 次图形转移〕 刻蚀〔第 2 次图形转移〕 ppt 课件 去胶 1 对刻蚀的要求 1 、适当的刻蚀速率 通常要求刻蚀速率为每分钟几十到几百纳米。 2 、刻蚀的均匀性好〔片内、片间、批次间〕 刻蚀均匀性一般为 ? 5% 。大量硅片同时刻蚀时，刻蚀速 率会减小，这称为刻蚀的 负载效应 。 3 、选择比大 选择比指对不同材料的刻蚀速率的比值。 4 、钻蚀小 5 、对硅片的损伤小 6 、平安环保 ppt 课件 2 钻蚀 〔 undercut 〕现象 对刻蚀速率的各向异性的定量描述 R L A ? 1 ? R V 式中， R L 和 R V 分别代表横向刻蚀速率和纵向刻蚀速率。 A = 1 表示理想的各向异性，无钻蚀； A = 0 表示各向同性， 有严重的钻蚀。 ppt 课件 3 刻蚀技