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氮化镓的合成制备及展望 度高，且制备前驱物使用的柠檬酸无毒无污染，是一种较为理想的制备方法。 2.化学气相沉积法 使用化学气相沉积法(CVD 法)可以制备出GaN纳米线。该方法一般采用金属镓或氧化镓作为镓源，NH3 作为氮源，在硅衬底上进行沉积。此外，该衬底通常涂上一层含镍 (Ni2+)的溶液。将该溶液作为硅衬底的涂层，可以对反应起到催化的作用。反应前，先将金属镓或者氧化镓粉末置于石英反应器的内层作为镓源，后将涂有镍溶液的硅衬底垂直放入镓源混合物中。反应时通过石英反应器外层提高反应温度。当加热到300 ℃左右时，Ni2+逐渐分解为Ni(OH)2，随后分解为NiO，此时通入氢气，可以得到Ni 催化剂，继续加热到700 ℃后停止通氢气，并通入氨气继续反应一段时间后自然冷却，在衬底上可得到GaN 纳米线。 在相同的生长温度下, 不同的衬底上合成的GaN 的形貌也有很大差异，光滑的衬底表面更易于GaN 纳米线的合成。当NH3 气流在100 mL/min 及以下时能形成形貌较好的GaN 纳米线。 3.溶剂热法 使用溶剂热法可以实现纳米GaN 粉末的低温合成。该方法采用GaCl3 作镓源，Li3N 或者NaN3 作氮源，并用苯作为有机溶剂。操作时先将镓源溶于有机溶剂中，再将氮源加入上述溶液，将混合物放入高压釜中，仅需加热到280～300 ℃反应10～12 h即可制备出GaN 纳米粉