内部-AuSn 共晶实验 LED 制成.pptxVIP

Flip Chip u-LED Process Flow V6;製作切割道300um開始; 清洗; SiO2鍍膜 1.5 um;镀膜后 DI Clean (single type); 黃光製程; Dry Etching SiO2; Dry etching 5.57um GaN;Striper 去除 PR;BOE 去除 SiO2;Hard mask SiO2 鍍膜; SiO2 乾蝕刻;去除光阻PR; GaN 乾蝕刻;濕蝕刻 BOE SiO2; Mesa 結束;ALD (Al2O3) + PECVD SiO2 Passivation;開始 metal Pad;開 p-metal 孔/Lithography;DRY etch/Dry etch AlO/p-pad;PVD metal/metal Liftoff/去光阻/pad