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- 2022-05-03 发布于北京
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半导体PN结
二极管的形成
二极管的特性
各种二极管的分类
二极管整流
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半导体N结的形成
在4价的硅或者锗材料中,掺入微量的5价的磷或者砷。破坏原来的4共价键。使其多余出一个电子。
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半导体P结的形成
在4价的硅或者锗材料中,掺入微量的3价的硼或者铟。破坏原来的4共价键。使其少一个电子多一个空穴。
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半导体PN结的形成
把P结和N结粘在一起,分子热运动的浓度差异,使电子往空穴里填。然后 自然的形成电场。3价原子得电子显负电,5价原子失去电子,显正电。形成的电场,迫使电子不再扩散,形成动态平衡。
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二极管正偏(正向导通)
外部施加电压,P为高,N为低。P区的电子被高压吸走,最左边先形成空穴,然后P区右边的电子过来填补。结界P区由于电子少了,内电场下降,平衡被打破,电子从N区扩散到P区。
当N区的多余电子全部到P区后,内电场消失。电源负极传递过来的电子,补充给N区,形成导通的现象。
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二极管反偏(反向截止)
外部施加电压,N为高,P为低。与PN结是内建电场相同,加强阻碍N区的电子扩散到P区。
电子被迫停留在N区。无法流入P区,就不能形成电子流。也没有内电场形成,完全是外部电场阻碍电子往P区扩散。也就保持截止状态。
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二极管的特性
二极管,由PN结和管壳引脚构
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