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- 2022-05-05 发布于广东
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GT60J323
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT60J323
Current Resonance Inverter Switching Application
Unit: mm
• Enhancement mode type
• High speed : tf = 0.16 μs (typ.) (IC = 60A)
• Low saturation voltage: VCE (sat)
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