第9章 烧结过程（2）无机材料科学基础.pdfVIP

9.3 再结晶和晶粒长大 烧结中坯体多数为晶态粉状材料压制而成，随烧结进行， 坯体颗粒间发生再结晶和晶粒长大，使坯体强度提高。 高温下的烧结过程中同时进行着再结晶和晶粒长大两个过 程。尤其在烧结后期，这两个高温动力学过程直接影响烧结体 显微结构 （如晶粒大小、气孔分布）和强度等性质。 指从塑性变形的、具有应变的基质中，生长出新 的无应变晶核和长大过程。 初次再结晶常发生在金属中，无机非金属材料特 别是一些软性材料NaCl、CaF 等，较易发生塑性变 2 形，也会发生初次再结晶过程。另外，由于无机非 金属材料烧结前都要破碎研磨成粉料，颗粒内常有 残余应变，烧结时也会出现初次再结晶现象。 过程推动力：基质塑性变形所增加的能量。 一 般 储 存 在 变 形 基 质 中 的能 量 约 为 2.09~4.18J/g 数量级，数值虽较熔融热小得多 （熔 融热是此值的1000倍甚至更多倍），但却足够提 供晶界移动和晶粒长大所需的能量。 初次再结晶也包括两个步骤：成核和长大。 晶粒长大通常需要一个诱导期，相当于不稳定 的核胚长大成稳定晶核所需要的时间。 烧结中、后期，细小晶粒逐渐长大，而一些晶 粒的长大过程也是另一部分晶粒的缩小或消失过程， 其结果是平均晶粒尺寸增加。 u不依赖于初次再结晶过程； u晶粒长大非小晶粒相互粘接，是晶界移动的结果； u晶粒平均尺寸增加。 晶粒长大推动力：晶界过剩的自由能，即晶界 两侧物质自由焓之差是使界面向曲率中心移动 的驱动力。 小晶粒生长为大晶粒，使界面面积减小，界 面自由能降低，晶粒尺寸由1μm变化到lcm ，相 应的能量变化为0.418~20.9 J/g 。 系统仅做体积功时 V—摩尔体积 △G— 晶粒A和B的吉布斯自由能之差， G -G A B G G ， A B A 向B跃迁频率 h-普朗克常数，n -界面原子密度 s 晶界移动速度(u)：λ为原子的跃迁距离 △GRT ： 上式转化为： T增大，增长速率随指数规律增加；界面移动与晶界 曲率和温度相关，T增大，r小，界面移动也越快。 2 2 D D Kt 0 晶粒长大速率随温度升高呈指数规律增加且 晶界移动速率与晶界曲率有关，温度愈高；曲率 半径愈小，晶界向曲率中心移动的速率亦愈快。  G 1 1 u u exp( )(  ) 0 RT r r 1 2 dD K u dr D 2 2 D D Kt