半导体材料制备培训课件：晶体生长热力学、生长动力学、生长系统中传输过程.ppt

2）化学气相沉积 化学气相沉积(CVD)是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。 从理论上来说，它是很简单的：两种或两种以上的气态原材料导入到一个反应室内，然后他们相互之间发生化学反应，形成一种新的材料，沉积到晶片表面上。 沉积氮化硅膜(Si3N4)就是一个很好的例子，它是由硅烷和氮反应形成的。 化学气相沉积的优点 准确控制薄膜的组分和掺杂水平 可在复杂的衬底上沉积薄膜 不需要昂贵的真空设备 高温沉积可改善结晶完整性 可在大尺寸基片上沉积薄膜 例子：硅的气相外延生长 将硅衬底在还原性气氛中加热，并输入硅源气体，使之反应，生成硅原子沉积在衬底上，长出具有与衬底相同晶向的硅单晶层。 主要参数：衬底温度，源气体流量和载气流量 衬底温度影响对外延层的晶体完整性和生长速度； 源气体流量影响生长速度； 载气流量影响外延层厚度的均匀性； 硅源 性质 SiCl4 SiHCl3 SiH2Cl2 SiH4 常温常压 液体 液体 气体 气体 沸点 57.1 31.7 8.2 －112 分子量 169.9 135.5 101.0 32.1 Si含量 16.5 20.7 27.8 87.5 最佳生长温度 1150 1100 1050 1000 生长速度 小 中 大 中 空气中反应 冒烟 冒烟 着火 着火 高温热分解 小 小 中 大 SiCl4和SiHCl3在常温常压下是液体，向反应器输运时，需要用辅助设备，操作麻烦 但源容易获得高纯度 SiH2Cl2和SiH4常温常压下是气体，输运操作简单，含Si量高； 但源的提纯较难 在空气中易燃，安全性不好 氢还原SiCl4硅外延 SiCl4具有来源丰富，稳定性好，易于提纯，工艺成熟，生产安全等特点，在工业生长中得到广泛使用。 一般以氢气作为还原剂和载运气体以及稀释气体 卧式 硅外延生长步骤 （1）硅片清洗 （2）装硅片 （3）通氢排气 （4）升温 （5）高温处理 （6）气相抛光 （7）通氢排气 （8）外延生长 （9）通氢排气 （10）降温 （11）开炉取片 （1）硅片清洗 清洗的目的：去除表面杂质，获得清洁的表面，有利于外延生长 表面杂质的来源：硅片是硅锭经过定向、切割、研磨、倒角、腐蚀、抛光、清洗等工序制备的。 存放和使用过程中，环境不清洁也会带来杂质的污染。 表面杂质的类型 以分子形式附在硅表面：物理吸附－－油污染 以离子形式附在硅表面：化学吸附－－腐蚀液污染 以原子形式吸附在表面：原子附着－－加工机械 清洗步骤 （1）丙酮和乙醇超声清洗去除有机物 （2）1号洗液清洗 （温度800C，时间15分钟） 高纯去离子水＋过氧化氢＋氨水 比例： 7: 1: 1 （3）2号洗液清洗（温度800C，时间15分钟） 高纯去离子水＋过氧化氢＋盐酸 比例： 8: 2: 1 （4）去离子水冲洗干净 （2）装衬底片 衬底片要求：光亮，平整，无亮点，无划痕，无水迹，无灰尘 衬底放在基座上，不要太靠近基座的边缘； 装衬底时，防止划伤衬底表面和落上灰尘 半导体材料制备 生长技术 体单晶生长技术 单晶生长通常利用籽晶在熔融高温炉里拉伸得到的体材料 ，半导体硅的单晶生长可以获得电子级（99.999999%）的单晶硅 外延生长技术 外延指在单晶衬底上生长一层新单晶的技术。 新生单晶层的晶向取决于衬底，由衬底向外延伸而成，故称“外延层”。 晶体生长问题 生长热力学 生长动力学 生长系统中传输过程 11.1 体单晶生长 结晶过程驱动力 杂质分凝 组分过冷 结晶过程驱动力 杂质分凝 杂质在液相和固相中的浓度不同 组分过冷 生长过程中，杂质不断排向熔体，使熔体中杂质浓度越来越高，过冷度愈来愈大，离固液界面越远 10.2 体单晶生长方法 体单晶生长 垂直生长 水平生长 直拉法 磁控直拉法 液体复盖直拉法 蒸汽控制直拉法 悬浮区熔法 垂直梯度凝固法 垂直布里奇曼法 水平布里奇曼法 10.2.1 直拉法 温度在熔点附近 籽晶浸入熔体 一定速度提拉籽晶 最大生长速度 熔体中的对流 生长界面形状 各阶段生长条件的差异 10.2.2 直拉生长技术的改进 磁控直拉法-----Si 连续生长法-----Si 液体覆盖直拉法-----GaAs，InP，GaP，GaSb，InAs 蒸汽控制直拉法-----GaAs，InP 10.2.3 悬浮区熔法 利用悬浮区的移动进行提纯和生长 无坩埚生长技术，减少污染