武汉关于成立半导体衬底材料公司可行性报告.docx

泓域咨询/武汉关于成立半导体衬底材料公司可行性报告  武汉关于成立半导体衬底材料公司 可行性报告 xxx（集团）有限公司  报告说明 III-V族化合物半导体材料生产需要经过多晶合成、单晶生长后再经过切割、磨边、研磨、抛光、清洗等多道工艺后真空封装成品，其中多晶合成、单晶晶体生长是核心工艺。多晶合成：化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，由于自然界中不存在天然的磷化铟、砷化镓多晶，因此首先需要通过人工合成制备该等化合物多晶，将两种高纯度的单质元素按一定比例装入PBN坩埚中，在高温高压环境下合成化合物多晶。单晶生长：化合物半导体单晶生长的制备方法有水平布里奇曼