电力电子半导体器件(GTR).pptVIP

2022/5/3 * ②驱动方式:由主电路结构决定 直接驱动:简单驱动、推挽驱动、抗饱和驱动 隔离驱动:光电隔离、电磁隔离 ③快速保护功能: GTR故障时,自动关断基极驱动信号,保护GTR。 如:抗饱和、退抗饱和、过流、过压、过热、脉宽限制、 智能化自保护能力。 2022/5/3 * 二、基极驱动电路基本形式 （一）恒流驱动电路: 基极电流恒定,不随IC电流变化而变化。 IB ICmax / β 问题:空载、轻载时,饱和深度加剧,存储时间大,关断时间长。 改进:1．抗饱和电路（贝克嵌位电路） VD2存在,使GTR导通时b-c结处于零偏或轻微正偏,基极多余电流由VD2从集电极流出,管子处于准饱和状态。VCES=VBE+VD1－VD2=VBE VD1、VD2抗饱和二极管;根据不同情况调整VD1数量,控制VCES大小。 VD2应选快速二极管,耐压与GTR一致,电流 IB′ VD1、VD3为普通二极管,VD1反向恢复有助于GTR关断。 缺点:导通损耗增大。 2022/5/3 * ２．截止反偏驱动电路 目的:关断时加反偏驱动,迅速抽出基区过剩载流子,减 小存储时间,加速GTR关断。 ①单极性脉冲变压器驱动电路 VA VB 缺点:变