半导体光电材料基础.pptxVIP

会计学;参考书目;考核方式：;文献综述备选题目：;课程主要内容：;能带理论; 近自由电子近似; 近自由电子近似; 近自由电子近似;能带理论;能带理论;能带理论;电子在能级中的分布;费米能级;导体、半导体和绝缘体的能带论解释; ;相对于块体材料，半导体量子材料的吸收蓝移；带隙随量子材料尺寸的减小而展宽，发光峰蓝移。;第三章 杂质和缺陷能级; 实际半导体材料中，存在各种类型的缺陷和杂质，其会在半导体中引起附加的势场，产生局域化的电子态，使电子和空穴束缚在杂质或缺陷周围，在禁带中引入杂质能级和缺陷能级。;3.1 半导体中的杂质能级;3.1 半导体中的杂质能级;3.1 半导体中的杂质能级;3.2 III-V族化合物半导体中的杂质 ;3.3 深能级 ;3.3 深能级 ;3.4 缺陷能级 （点缺陷）;3.4 缺陷能级 （点缺陷） ;第四章 非平衡载流子;;4.1 非平衡载流子的产生与复合 ;4.1 非平衡载流子的产生与复合 ;4.1 非平衡载流子的产生与复合 ;4.1 非平衡载流子的产生与复合 ;;4.2 准费米能级 ;4.3 复合机制 ;4.3 复合机制 ;间接复合：最主要的是通过复合中心的复合。 复合中心：晶体中的一些杂质或缺陷，它们在禁带中引入离导带底和价带顶都比较远的局域化能级，即复合中心能级。 间接复合过程： ? 电子跃迁到复合中心能级，然后再跃