半导体物理学：第8章 半导体表面与MIS结构.pdfVIP

第八章 半导体表面与MIS结构 本章内容 一、表面态 二、表面电场效应 三、MIS结构的C-V特性 四、硅-二氧化硅系统的性质 五、表面电导及迁移率* 六、表面电场pn结特性的影响* 一、表面态 晶格不完整性 势场的周期性受到破坏 在禁带中产生附加能级 晶体的自由表面 周期性势场在表面中断 引起附加能级 （达姆表面能级） 理想表面 ：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同 ，且表面上 不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 考虑一维情形 X ≤≤ 0, V=V = constant ≤≤ o X ≥≥ 0, V=V(x) = V(x+na) ≥≥ 在X ≤ 0区域 ，电子的波函数解为： 因为当x趋于负无穷时 ，波函数必须有限，故此上式第二项系数为零 在X ≥ 0区域 ，电子的波函数解为： 在x=0处波函数及其一阶导数满足连续性条件 ，即： 则得到 ： 当k为实数值时 ，由上两个方程可以求解A, A1和A2三个未知数 ，这些解表示一 维无限周期场时的允许状态 ，对应的能量就是允带。这说明所有在一维无限周 期场时的电子状态在半无限周期场的情况下仍可实现。 当k为复数值时 ，可以求得： 电子的能值 X ≤ 0 X ≥ 0 集中在x=0处的电子状态被称为表面态 ， 对应的能级被称做表面能级 • 达姆曾计算了半无限Kronig-Penny模型 ，证明在一定条件下，每个 表面原子在禁带中对应一个表面能级。推广到三维情形 ，可以证明， 在三维晶体中 ，仍是每个表面原子对应禁带中一个表面能级，这些表 面能级组成表面能带。因单位面积上的原子数约为1015/cm2 ，故单位 面积上的表面态数也具有相同的数量级。 • 表面态的存在是肖克莱等首先从实验上发现的 ，以后人们在超高真空 中对洁净硅表面进行测量 ，证实表面态密度与上述理论结果相符。 • 即使在超高真空中 ，硅表面仍会形成一层单原子层（一般由氧原子组 成），在表面上覆盖了二氧化硅层后 ，使硅表面的悬挂键大部分被二 氧化硅的氧原子所饱和 ，表面态密度就大大降低，所以，测到的表面 态密度比理论值低的多 ，常在1010 12 2 -10 /cm . • 由于表面悬挂键的存在 ，表面可以与体内交换电子和空穴。例如 ：n 型硅情形 ，悬挂键可以从体内获得电子，使表面带负电。这负的表面 电荷可以排斥表面层中的电子使之耗尽成为耗尽层甚至变为p型反型 层。 表面再构 ： 二、表面电场效应 半导体表面层内产生电场 ： 功函数不同的金属和半导体接触。 半导体表面外吸附某种带电离子等 理想情况 MIS结构 • 零偏压时 ，金属与半导体间功函数差为零，即在无外加偏压下其