晶体中电子在电场和磁场中的运.pptxVIP

会计学;波包;分析波包的运动，只需分析???2，即概率分布即可;即; 电子速度的方向为 空间中能量梯度的方向，即沿等 能面的法线方向; 电子运动速度的大小与 的关系;二、电子的准动量（晶体动量）;这是电子在外场作用下运动状态变化的基本公式，具有与经典力学中牛顿定律相似的形式;三、电子的加速度和有效质量;引入电子的有效质量：;2. 三维情况; 矩阵形式：;电子的加速度方向并不一定与外力的方向一致;在主轴坐标系中：;例：求简单立方晶体s态电子的有效质量;有效质量的三个主分量均与J1成反比，若原子间距越大，J1越小，则有效质量就越大; 在能带顶R点：; 有效质量不仅可以取正，也可以取负，在能带底附近，有 效质量总是正的；而在能带顶附近， 有效质量总是负 的。这是因为在能带底和能带顶E(k)分别取极小值和极大 值，分别具有正的和负的二价微商;四、有效质量的物理解释;其中; 有效质量m*既可以小于m，也可以大于m，甚至还可以为负值。这都取决于晶格力的大小与正负，即周期场对电子运动的影响。这种影响主要通过在布里渊区边界附近发生Bragg反射而在电子与晶格之间交换动量这种形式反映出来的。 ;在能带顶：; 由于 只是外场对电子的作用力，它并不是电子所受的合外力，因此， 并不是电子的真实动量，而是电子的准动量就不难理解了 ;§5.2 在恒定电场作用下电子的运动;;一、在k空间中的运动图象; 在准经典运动中，电子在同一能带中运动。电子在k空间中的匀速运动意味着电子的能量本征值沿E(k)函数曲线周期性变化，即电子在k空间中做循环运动 ;二、在实空间中的运动图象; 由于电子在运动过程中不断受到声子、杂质和缺陷的  散射，上述的振荡现象实际上很难观察到。若相邻两 次散射（碰撞）间的平均时间间隔τ很小，电子还来 不及完成一次振荡过程就已被散射; 在准经典运动中，当电子运动到能隙时，将全部被 反射回来。而根据量子力学，电子遇到势垒时，将 有一定概率穿透势垒，而部分被反射回来。电子穿 透势垒的概率与??垒的高度（即能隙Eg）和势垒的 长度（由外场决定）有关。;§5.3 导体、绝缘体和半导体的能带论解释; 在有电场存在时，由于不同材料中电子在能带中的填充情况不同，对电场的响应也不同，导电能力也各不相同;1. 满带;3. 近满带和空穴; 这表明，近满带的总电流就如同一个带正电荷e，其速度为电子在空状态 中的速度;而在能带顶附近，电子的有效质量为负值，m* 0;空穴导电性：满带中缺少一些电子所产生的导电性;半导体：禁带宽度一般较窄：Eg介于0.2 ~ 3.5 eV之间 ;非导体; 半导体的本征导电性; 半导体的非本征导电性：半导体通过适当掺杂，改变 电子在能带中的填充情况而获得的导电性; 绝缘体的带隙很宽，Eg ~几个eV，在一般情况下，电子很难从价带顶被激发到空带中，所以，绝缘体一般都没有可观察到的导电性;电子密度：As： ~ 2.1?1020 cm-3  Sb： ~ 5.7 ?1019 cm-3  Bi： ~ 2.7 ?1017 cm-3  Cu： ~ 8.45 ?1022 cm-3 ;金属的电阻率;—— Grüneisen公式; 当T?D时，晶体中所有振动模式都能被热激发，频率为?j的声子的平均声子数为; 另一方面，由于对金属电导有贡献的只是在费米面附近的一小部分电子，其波矢近似等于费米波矢，k?kF。而当T?D时，只有能量很低的长波声学声子才能被热激发，这些声子的波矢qqm。可以认为， kF与qm同数量级;由于; 对于实际金属，电子除受声子散射外，还受晶体中的杂质与缺陷的散射。在杂质浓度较低时，可以认为声子的散射与杂质的散射对金属电阻的影响是彼此独立、分别起作用的; 如果电子在与杂质的散射中把能量交给杂质原子，电子能量将失去过多，以致费米球内没有空态可以接纳它。因此，杂质散射所产生的电阻与温度无关，它是T?0时的电阻值，称为剩余电阻; 在金属中，其导带部分填充，导带中有足够多的载流子（电子或空穴），温度升高，载流子的数目基本上不增加。但温度升高，原子的热振动加剧，电子受声子散射的概率增大，电子的平均自由程减小。因此，金属的导电率随温度的升高而下降，与半导体的本征导电率随温度的升高而迅速上升