教学课件第5周rev3.pptxVIP

5.3 MOS晶体管的高频模型 MOS小信号模型 基本小信号模型 通过在偏置点上产生一个小的增量，并计算它所引起的其它偏置参数的增量来得到小信号模型。 G和S之间的低频阻抗很大 5.3 MOS晶体管的高频模型 用独立电流源来表示沟道长度调制效应: 由于沟道长度调制，漏电流也随着漏—源电压变化。 这一效应可用一个压控电流源模拟。 用电阻来表示沟道长度调制效应： 一个电流值与通过它的电压成线性关系的电流源就等效于一个线性阻抗 5.3 MOS晶体管的高频模型 体效应用独立电流源表示： 5.3 MOS晶体管的高频模型 完整的MOS小信号模型 完整的小信号模型包括器件电容 与源区与衬底和漏区与衬底之间耗尽区的反偏有关 与栅极有关并且取决于管子的工作条件 寄生电容 与管子的工作条件无关 图中的三类电容 感谢观看！