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ZVS移相全桥电路设计 一、主电路结构 图1 主电路结构图 二、参数要求 、 三、变压器设计 （1）输出功率 （2）AP值 设定开关频率。取电流密度；选定magnetics公司R材质的Ferrite Cores，=0.14T，则在效率、窗口系数的情况下有 查magnetics公司磁芯参数表，取接近此值的磁芯，选定为：EC70，其主要参数为： （3）确定匝比n与初级总匝数 采用前级推挽+后级全波整流结构，输入电压与输出电压的关系如下 输入电压范围在350V-400V，当，有最大占空比时，输出电压达到最大。取最大占空比，则n=6.4。 根据法拉第定律可以确定初级匝数 （4）确定次级总匝数 故在350V-400V输入时，匝数比n=6、、。 （5）初级绕组峰值电流与有效值的计算及线径的选择 输入功率等于与平均电流（）的乘积，假设效率为90%，即，输入电压为最小值时，每半个周期晶体管的导通时间为0.84T/2，即占空比为0.84，则 即 初级绕组每周期仅流过一个幅值为的脉冲平顶波，其占空比为D=0.84，因此其有效值为 即 初级绕组导线裸线截面积 查AWG导线规格表得，与此裸线截面积相近的AWG线号为。其参数如下： ， 。 （6）次级绕组峰值电流与有效值的计算及线径的选择 ，次级半绕组的电流有效值为 次级绕组导线裸线截面积 查AWG导线规格表得，与此裸线截面积相近的AWG线号为。其参数如下： ， 。 （7）趋肤效应 已知在70摄氏度时趋肤深度 、，需要取多股绞线。 四、输出滤波电感L和电容C的设计 （1）滤波电感L 定义电感纹波电流 取r=0.3。则， 当输入电压最大时，占空比有最小值。所以 （2）滤波电容C 仿真时，若不考虑ESR，定义输出电容纹波、 又 考虑ESR的情况，根据 式中，是纹波电压总幅值，单位是V，C的单位是。 输出电感可以选择铁粉芯环型磁芯，输出电容要选用ESR小于、容值1000的电容。 、C=1000。 五、主开关管Q1、Q2、Q3、Q4的选择 开关管截止时，承受着电源的反向电压，最大反向电压为400V，考虑到漏感以及开关管的寄生振荡，选择800V耐压的mosfet；开关管峰值电流由上文讲述可知，。 选择800V/5A的mosfet。 六、整流二极管D5、D6的设计与选择 整流二极管承受最大反向电压 最大峰值电流 考虑到二极管的反向恢复特性，以及漏感等情况，选择250V/40A左右的快恢复二极管。 七、缓冲电路设计 由于整流二极管在关断时的反向恢复电流，有可能造成二极管击穿而损坏，因此需要加缓冲电路吸收。本设计采用RC缓冲器吸收。假设变压器副边漏感（实际可以通过实验得到），漏感能量，最大的振荡幅值为60V，其能量都转移到C中。即 在一个开关周期中C的能量要释放掉，因此，通常取缓冲电路时间常数，则 按经验取值此处C8=C9=470pF的电容，R16=R17=150的功率电阻。 八、控制电路设计 选择控制IC-UC3875，控制电路图如下，完整设计电路见附录图。 图2 控制电路图 （1）芯片供电电路 UC3875的工作电源有两个：Vin和Vc。Vin给芯片内部逻辑电路供电，与信号地GND对应，正常工作时Vin电压应当高于12V；Vc是输出级工作电源，与电源地PWRGND对应，Vc电压在3V以上控制器就能正常工作，在12V以上工作性能更好，一般就把Vin和Vc接到同一个15V的直流电源上。Vin和Vc应分别外接等效串联电阻和电感都很小的高频滤波电容到相应的工作地。 （2）振荡电路设计 UC3846的振荡频率由下式决定： 设计开关频率，可以取，。 （3）死区时间设计 两组死区时间采用datasheet提供的方式进行设置，取R4=R5=6.8kHZ，C4=C5=0.01uF。 （4）隔离驱动 图中OUTA、OUTB、OUTC、OUTD分别是四个mosfet的驱动信号，但由于驱动能量不够和不共地的原因，需要将四个驱动信号进行放大隔离，。图中采用的是推挽放大隔离的方式将驱动信号送至开关管。TX1、TX2采用EE10铁氧体磁芯，原副边匝数取一样（一般取10T）。得到的信号经驱动电阻送给开关管。 图3 驱动信号放大隔离 附录