模拟电子技术基础简明教程(第三版)-杨素行-课后答案.docxVIP

习题1」欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正 向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？ 答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。 习题1?2假设一个二极管在50c时的反向电流为10〃A, 试问它在20c和80℃时的反向电流大约分别为多大？ 温度每升高10C,反向电流大致增加一倍。 解：在20℃时的反向电流约为：2-3x10〃A = 1.25〃A在80c时的反向电流约为：23x10//A = 80//A 习题1?3某二极管的伏安特性如图(a)所示： ①如在二极管两端通过1AC的电阻加上L5V的电压，如图 (b),此时二极管的电流/和电压咯为多少？ ②如将图(b)中的L5V电压改为3V,那么二极管的电流和电 1.5V3)+ u - 1.5V 3) + u - -X- 解：根据图解法求解①电源电压为L5V时 1.5 =。+ / /?0.8A, U ? 0.7V ②电源电压为3V时 3 = U + I /氏 2.2A, U^O.SV 可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，那么二 极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。 习题1?15分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图 PL15所示。试识别它们的管脚，分别标上e、b、c,并判断 这两个三极管是NPN型还是PNP型，硅管还是楮管。 解：此题的前提是两个三极管均工作在放大区。 (a)l——发射极e, 3一基级b, 2一集电极c,三极管 类型是NPN楮管。 (b)2——发射极e, 3——基级b, 1——集电极c,三极管 类型是PNP硅管。 习题1?16一个N沟道增强型MOS场效应管的输出特性 曲线如图PL16所示。试作出〃0s=15V时的转移特性曲线，并 由特性曲线求出该场效应管的并启电压UGS(th)和乐值，以及 当〃疾=15丫，〃gs=4V时的跨导gm。 d/wiA出/inA3?3- d/wiA 出/inA 3? 3- 2- 2  0 1由图可得,2 3 4 5 〃gs/V 0开启电压 UGS（ 0 1 由图可得, 2 3 4 5 〃gs/V 0 开启电压 UGS（th）=2V, /DO=2.5mA, % Cyd - = 2.8mS 45-3.5习题1?17试根据图PL17所示的转移特性曲线，分别判断各 相应的场效应管的类型（结型或绝缘栅型，P型沟道或N型沟 道，增强型或耗尽型）。如为耗尽型，在特性曲线上标注出 其夹断电压心块加和饱和漏极电流/dss；如为增强型，标出其 ■ 季(th)~O (d)（a）绝缘栅型N沟道增强型；（b）结型0勾道耗尽型； (d) （c）绝缘栅型N沟道耗尽型；（d）绝缘栅型啪道增强型。 习题1?18一个N型沟道增矍型色OS场效应管的开启电 压UGS（th）=+3V, ZDO=4mA,请示意画出其转移特性曲线。 习题L19一个P型沟道耗尽型MOS场效应肯阿姆和漏 极电流/dss=-2.5mA,夹断电压“；5（咖=4丫，请示意画出其转 移特性曲线。 习题2?1试判断图P2?l中各电路有无放大作用，简单说明 理由。 答：⑶无放大作用（发射结反偏）；（b）不能正常放大（发射结无直流偏置）； （C）无放大作用（集电结无直流偏置）；（d）无放大作用（发射结无直流偏置）； （e）有放大作用（是射极跟随器）；⑴无放大作用（输出交流接地）； （g）无放大作用（输入交流接地）；（h）不能正常放大（栅极无直流偏置）； ⑴无放大作用（电源极性接反）； 习题2?2试画出图P2?2中各电路的直流通路和交流通路。 设各电路中的电容均足够大，变压器为理想变压器。 ⑶直流通路（a）交流通路 (b)直流通路(b)交流通路 (c)直流通路(c)交流通路 图(0中, 习题2?3在NPN三极管组成的单管共射放大电路中，假设 电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明 放大电路的/bq、々q和《k将增大、减少还是基本不变。 ①增大品；②增大％c；③增大￡。 答：①增大仆，那么Q减少，/CQ减少，Ue/增大。 ②增大Ucc，贝!Ubq增大，/cq增大，Uceq不确定。 ③增大那么Q基本不变，/CQ增大，小卬减少。 习题2?4在图252所示NPN三极管组成的分压式工作点稳 定电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数 时，试定性说明放大电路的q、々Q和％和4将增 大、减少还是基本不变。 ①增大凡1；②增大叫2；③增大凡；④增大万。 答：①增大风1，那么，BQ t，/CQ t，UcEQ ?，，be ?，A, t。 ②增大2 ,那么，BQ ?，，CQ ?，Ucpq t , % ，A，? ° ③增大凡 ? 贝iJ^BQ I，/CQ ?，/BQ t，，be t，4 ?。 ④增大￡,那么4qI，4q基本不变，卬