半导体工艺原理与技术绪论共86页.pptVIP

半导体工艺原理与技术 张晓波 此方工业大学微电实验中心  参增书 1. Michael Quirk,Julian Serda著《半导体制造技术》韩郑生等 译电子工业出版社.2019.1 2.[21 Stephen A Campbell ( The Science and Engineering of Microelectronic Fabrication) 曾莹等译《微电子制造科学原理与工程技术》电子工业出版社 3.1 James D. Plummer, Michael Deal, Peter B. Griffin SIlicon VLSI Technology Fundamentals, Practice and Modeling》严利人等译《硅超大规模集成电路工艺技术一理 论、实践与模型》电子工业出版社 4.庄同曾《集成电路制造技术原理与实践》电子工业出版社  授课内容 第1章绪论 4学时 第2章衬底材料 2学时 第3章氧化 2学时 第4章扩散 2学时 第5章离子注入 2学时 第6章光刻 4学时 第7章物理汽相淀积 2学时 第8章化学汽相淀积 2学时 第9章刻蚀 2学时 第10章工艺集成 8学时 第11章后工序 2学时 总学时32学时  实验内容 1.半导体工艺多媒体实验平台的应用 4学时 2.工艺模拟软件的基本操作 2学时 3.用工艺模拟软件进行扩散工艺模拟; 2学时 4.用工艺模拟软件进行氧化工艺模拟 5.用工艺模拟软件进行离子注入工艺模拟; 2学时 6.用工艺模拟软件进行CVD工艺模拟 2学时 7.用工艺模拟软件进行外延工艺模拟; 8.用工艺模拟软件进行双极及MOS工艺模拟;4学时 9.半导体薄膜厚度的测量 10.集成电路芯片的解剖分析实验 10学时 总学时32学时  第1章绪论 1C发展历史 电子管一晶体管一集成电路一超大规模集成电路; 摩尔定路、特征尺寸、技术节点等概念; 1C制造 IC基本组成单元 IC制造基本流程; C辅助工艺简介 洁净度要求(超净间、纯水、超纯气体) 常用化学试剂的安全使用;  1947年 发明点 接触晶 体管 实验室 晶体管发明者(从左到右):威廉·肖克利,约翰·巴丁,沃尔特·布搅顿。 他们获得了1956年的诺贝尔物理字奖  世界上第一个点接触晶体管  1950年发明生长结晶体管(T)  1951年发明了 合金结双极型晶体管  威廉肖克利 于1955年建立了世界上 示就固 第一家半导体公司 肖克利半导体实验室