实验报告4 存储器实验 .docxVIP

实验4 存储器实验 4.1实验目的 1）掌握静态随机存储器 RAM 的工作特性。 2）掌握静态随机存储器 RAM 的读写方法。 4.2实验要求 1）做好实验预习，熟悉MEMORY6116芯片各引脚的功能和连接方式，熟悉其他器件的功能特性和使用方法，看懂电路图。 2）按照实验内容与步骤的要求，认真仔细地完成实验。 3）写出实验报告。 4.3实验电路 实验使用的主要元器件：2K×8静态随机存储器6116芯片，8位数据锁存器74LS273（本实验用作地址寄存器 AR )，三态输出的8组总线收发器74LS245，与非门、关、指示灯等。芯片详细说明见附录 A 。 图4-1为本实验所用的存储器原理图，图中尾巴上带加粗标记的线条为控制信号，其会信号线或地址信号线。实验电路中涉及的控制信号如下。 1) CE :6116芯片的片选信号。 CE 为 O 时6116芯片正常工作。 2) OE ：输出允许信号。当 CE =0、 OE =0、 WE =1时为读操作，实验中将其接地，恒置为0. (3) WE ：写信号。在 CE =0、 OE =0的情况下， WE =1为写操作， WE =0为读操作。 (4) Pl ：脉冲信号。当 WE =1、P1=1时，6116芯片进行写操作。 (5) LDAR ：对地址寄存器 AR 进行加载的控制信号。当 LDAR =1时是加载状态。 (6)P2：脉冲信号。当 LDAR =1时，在上升沿将地址载人 AR 。74LS273触发器在时钟输人为高电平或低电平时，输入端的信号不影响输出，仅在时钟脉冲的上升沿，输人端数据才发送到输出端，同时将数据锁存。 (7) SW - BUS ：开关输出三态门使能信号。当它为0时将74LS245输人引脚的值从输出引脚输出，即将SW0~SW7数据发送到数据总线。 4.4实验原理 实验所用的半导体静态存储器电路如图4-1所示。数据开关（ SWo ~sW7）用于设置读、写地址和要写人存储器的数据，经三态门74LS245与总线相连，通过总线把地址发送至AR ，或把欲写人的数据发送至存储器芯片。静态存储器由一片6116(2K×8）芯片构成，但地址输人引脚A8~A10接地，因此实际存储容量为256字节，其余地址引脚A0~A7与 AR 相连，读和写的地址均由 AR 给出。6116芯片的数据引脚为输人、输出双向引脚，它与总线相连，既可以从总线输人欲写的数据，也可以通过总线输出数据到数据显ボ灯上。6116芯片共使用了两组显示灯，一组显示从存储器读出的数据，另一组显示存储单元的地址。 6116芯片有三根控制线， CE 为片选线， OE 为读允许线， WE 为写线，三者的有效电平均为低电平。本实验将 OE 接地，在此情况下，当 CE =0、 WE =1时进行读操作；当 CE =0、 WE =0时进行写操作。由于6116芯片的 WE 信号是由 WE 控制信号与 PI 进行与非运算得来的，因此，当 WE =1时为写操作，其操作时间与P1脉冲宽度一致。 读数据时，在数据开关上设置好要读的存储单元地址，并打开三态门74LS245, LDAR 置1，发出一个P2脉冲，将地址送人6116芯片，设置6116芯片为读操作，即可读出数据并在数据显示灯上显示。 写数据时，先在数据开关上设置好要写的存储单元地址，并打开三态门74LS245, LDAR 置1，发出一个P2脉冲，将地址送人6116芯片，然后在数据开关上设置好要写的数据，确保三态门打开，设置6116芯片为写操作，发出一个P1脉冲，即可将数据写人。 4.5实验内容与步骤 (1）运行虚拟实验系统，从左边的实验设备列表选取所需组件拖到工作区中，按照图4-1所示组建实验电路，得到如图4-2所示的实验电路。图4-2中没有使用总线，元器件通过两两之间连线实现彼此连接。实验时也可以选用总线来连接器件。 (2）进行电路预设置如下。 将74LS273的 MR 置1, AR 不清零。 CE =1,RAM6116芯片未片选。 SW - BUS =1，三态门关闭。 (3）打开电源开关。 (4）存储器写操作。向01H、02H、03H、04H、05H存储单元分别写入十六进制数据 11H、12H,13H,14H、15H，具体操作步骤如下（以向01号单元写入11H为例）。 将SW0~SW7置 SW - BUS =0，打开三态门，将地址送入 BUs 。 LDAR =1，发出P2单脉冲信号，在P2的上升沿将 BUS 上的地址存入 AR ，可通过观察 AR 所连接的地址显示灯来查看地址， SW - BUS =1，关闭三态门。 ③ CE =0、 WE =1,6116芯片写操作准备（注意：此时 WE =1，因而会读出此地址原有数据）。 将 Swo ~sW7置SW- BUS