第八章表面分析技术.pptVIP

8.1.4 光电子能谱分析方法 （二）化学态分析 （1）光电子谱线化学位移：由于电子的结合能会随电子环境的变化发生化学位移，位移与原子上电荷密度密切相关，而电荷密度有受着元素周围环境（如电荷、元素价态、成键情况等）的影响。 第二十九页，共七十四页。 8.1.4 光电子能谱分析方法 图8-10 S的2p峰在不同化学状态下的结合能值 第三十页，共七十四页。 8.1.4 光电子能谱分析方法 图8-11 Ti及TiO2中2p3/2峰的峰位及2p1/2和2p3/2之间的距离 第三十一页，共七十四页。 8.1.4 光电子能谱分析方法 表8-3：C1s在不同化学状态下半峰高宽的变化 CF4 C6H6 CO CH4 半高峰宽（eV） 0.52 0.57 0.65 0.72 第三十二页，共七十四页。 8.1.4 光电子能谱分析方法 （2） 俄歇谱线化学位移和俄歇参数：最尖锐的俄歇线动能减去最强的XPS光电子线动能所得到的动能差称为俄歇参数，即 (8-15) (8-16) 第三十三页，共七十四页。 8.1.4 光电子能谱分析方法 （3）震激谱线：过渡元素稀土元素和锕系元素的顺磁化合物的XPS谱中常常出现震激现象中，因此常用震激效应的存在与否来鉴别顺磁态化合物的存在与否。 图8-12铜2p谱线和震激结构 第三十四页，共七